[发明专利]磁性检测电路在审
| 申请号： | 201810661617.6 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109754831A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 应继锋;牛宝华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻式随机存取存储器 磁性穿隧 接面 感测单元 控制器 磁性检测电路 存储器单元 感测阵列 外部磁场 读取 写入操作 强弱 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于一磁阻式随机存取存储器的磁性检测电路，包括：
一个感测阵列，包括多个感测单元，其中每一个上述感测单元包括一第一种磁性穿隧接面装置；以及
一个控制器，用以读取上述感测单元以检测上述磁阻式随机存取存储器所处的外部磁场强度；
其中，上述控制器根据上述磁阻式随机存取存储器的上述外部磁场强度强弱决定是否停止对上述磁阻式随机存取存储器的多个存储器单元的写入操作，并且每一个上述存储器单元都包括一第二种磁性穿隧接面装置；
其中，上述第一种磁性穿隧接面装置小于上述第二种磁性穿隧接面装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810661617.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
