[发明专利]可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法

说明书

本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。

技术领域

关于一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。

背景技术

微电子机器系统(micro-electro-mechanical system，MEMS)、CMOS图像感测器和封装技术(例如硅通孔(through-silicon via，TSV))的新兴应用正推动在如氮化铝(Aluminum Nitride，AlN)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铝(Aluminum Oxide，Al₂O₃)和锗(Germanium，Ge)的薄膜上的物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的发展。

在半导体产业中已存在金属化系统(metallization system)。凭借着跨越前端金属化(如钴和钨、铝和铜互连)的沉积能力以及像凸块下金属化这样的封装应用，近20年来制造的绝大多数微晶片都是使用全球现有系统中之一所制成的。现有的系统通过严格控制薄膜厚度、优异的底部覆盖和高保形性来沉积各种超纯(ultra-pure)薄膜的能力，使得制造导入端装置(leading edge devices)成为可能。

由于现有系统仍处于生产状态并且有许多原始配置，因此有许多产品改良可提供改善制程性能和工具生产力。举例来说，冷却腔室(Cool Down chamber)的产能瓶颈(throughput bottlenecks)可以通过将腔室A从隘口相接处(Pass Thru)转换为冷却来消除。可以使用简易局部中心定位(easy local center finding，EZ LCF)来消除晶圆定位的误差，同时改善用于夹接过程(clamped process)的紧密边缘排除(tight edgeexclusions)的性能，并消除与连续多腔室制程(multi-chamber process sequences)有关的迭加误差(stack-up errors)。此外，腔室的升级适用于许多腔室，包含TxZ(用于晶圆加热制程的TiN加热器)，以改善晶圆上的均匀性并减少维护。

发明内容

根据本揭露的一态样，一种用于改变沉积腔室中磁场分布的方法，此方法包含以下操作。提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸；在沉积腔室中量测一磁场分布；以及在沉积腔室中量测一磁场分布。

根据本揭露的另一态样，一种沉积腔室包含多个可调磁体。这些可调磁体用于调整该沉积腔室的一磁场分布，其中每一个可调磁体的一位置是可单独调整的，其中这些多个可调磁体中的每一个的一体积是可单独调整的，其中每一个可调磁体的磁场强度是可单独调整的。

根据本揭露的又一态样，一种可调磁体包含圆柱形金属体、顶部可调整连接器以及底部可调整连接器。圆柱形金属体用于传导磁通量，其中圆柱形金属体的半径是可调整的，其中圆柱形金属体的高度是可调整的。顶部可调整连接器用于调整可调磁体的位置。底部可调整连接器用于调整可调磁体的位置。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭露发明实施例的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。在说明书及附图中以相同的标号表示相似的特征。

图1绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的示意图；