[发明专利]可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法有效
申请号: | 201810643463.8 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN109423616B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 何明杰;杨博文;罗司宪;曾顺良;郑文正;锺承芳;薛家麟;庄国彬 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可调 磁体 沉积 用于 改变 腔室中 磁场 分布 方法 | ||
1.一种用于改变一沉积腔室中一磁场分布的方法,其特征在于,该方法包含:
提供一靶材磁场分布;
移除该沉积腔室的一磁控管中的多个第一固定磁体;
用多个第二磁体各别替换所述多个第一固定磁体的每一个,其中所述多个第二磁体包含:
一顶部可调整连接器,其用于调整该多个第二磁体的一位置,其中所述顶部可调整连接器包含一顶部螺钉,其用于垂直地调整该多个第二磁体;以及
一底部可调整连接器,其用于调整该多个第二磁体的该位置,其中所述底部可调整连接器包含一底部螺钉,其用于垂直地调整该多个第二磁体;
执行以下操作:调整该磁控管中的所述多个第二磁体中的至少一个的一位置,以及调整该磁控管中的所述多个第二磁体中的至少一个的一半径;
在该沉积腔室中量测一磁场分布;以及
比较在该沉积腔室中量测的该磁场分布和该靶材磁场分布。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含:
根据该比较,提供用于调整多个可调磁体中的每一个的一回馈信息。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包含:
根据该回馈信息,第二次执行以下操作:调整所述多个第二磁体中的至少一个的该位置,以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的该半径。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,还包含:
在该沉积腔室中再次量测该磁场分布。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包含:
重复比较在该沉积腔室中量测的该磁场分布和该靶材磁场分布。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包含:
根据该比较,重复提供用于调整所述多个可调磁体中的每一个的所述回馈信息。
7.一种沉积腔室,其特征在于,包含:
多个可调磁体,其用于调整该沉积腔室的一磁场分布,其中每一个可调磁体包含:
一顶部可调整连接器,其用于调整该多个可调磁体的一位置,其中所述顶部可调整连接器包含一顶部螺钉,其用于垂直地调整该多个可调磁体;以及
一底部可调整连接器,其用于调整该多个可调磁体的该位置,其中所述底部可调整连接器包含一底部螺钉,其用于垂直地调整该多个可调磁体;
其中每一个可调磁体的一位置在该磁控管中是可单独调整的,
其中通过调整该磁控管中对应磁体的直径,所述多个可调磁体中的每一个的一体积是可单独调整的,以及
其中所述多个可调磁体中的每一个配置以垂直地调整,其在该磁控管内通过调整该顶部螺钉及该底部螺钉将所述多个可调磁体中的每一个偶合至各别的固定点。
8.根据权利要求7所述的沉积腔室,其特征在于,其中每一个可调磁体的一磁场强度是可单独调整的。
9.根据权利要求8所述的沉积腔室,其特征在于,其中:
所述多个可调磁体中的一第一组可调磁体是选自用以调整以减小其磁场强度;以及
所述多个可调磁体中的一第二组可调磁体是选自用以调整以增加其磁场强度。
10.一种可调磁体,其特征在于,包含:
一圆柱形金属体,其用于传导磁通量,其中该圆柱形金属体的一半径是可调整的,其中该圆柱形金属体的一高度是可调整的;
一顶部可调整连接器,其用于调整该可调磁体的一位置,其中所述顶部可调整连接器包含一顶部螺钉,其用于垂直地调整该可调磁体的一水平位置;以及
一底部可调整连接器,其用于调整该可调磁体的该位置,其中所述底部可调整连接器包含一底部螺钉,其用于垂直地调整该可调磁体的该水平位置。
11.根据权利要求10所述的可调磁体,其特征在于,其中该可调磁体为一可调电磁体。
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