[发明专利]一种半导体器件制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201810570864.5 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108565210B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 许孟凯;陈胜男;陈智广;吴淑芳;林伟铭;林张鸿;林豪;詹智梅 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/14 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶 漏极金属 源极金属 外延片 位置处 涂覆 半导体器件制造 半导体器件 开口 金属蒸镀 曝光显影 蚀刻 第一金属层 步骤流程 上金属层 制作工艺 栅金属 蒸镀 沉积 去除 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在外延片上涂覆第一光刻胶；所述第一光刻胶为正性光刻胶；
在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；
在外延片和第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；所述第二光刻胶为负性光刻胶；
在漏极金属、源极金属位置上方的第二光刻胶覆盖住第一光刻胶；
在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；
进行金属蒸镀沉积，在Y栅位置形成Y栅金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；
蚀刻去除第一光刻胶和第二光刻胶；
沉积氮化物层，并在氮化物层上蚀刻露出第一金属层顶部位置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于，还包括步骤：在漏极金属、源极金属位置的第一金属层上形成第二金属层。
3.根据权利要求1到2任一项所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：所述外延片包括有依次堆叠的半导体材料衬底层、场效应晶体管器件结构层。
4.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1到3任意一项的一种半导体器件制造方法制得。
5.根据权利要求4所述的一种半导体器件，其特征在于，所述Y栅金属高度与在漏极金属、源极金属处第一金属层高度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
