[发明专利]一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板及制备方法在审
申请号: | 201810563670.2 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN108409310A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 张军然;徐永兵;张勇;王倩 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622;C04B37/02;C04B41/85;H05K1/03 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨烯 陶瓷基 铜箔 半固化片 化学气相沉积 石墨烯改性 陶瓷片 制备 机械性能 电学 覆铜板 热学 热压 陶瓷 生长 | ||
1.一种石墨烯改性的陶瓷PTFE基PCB覆铜板,其特征在于,包括陶瓷基半固化片、铜箔;陶瓷基半固化片、铜箔之间设有一层化学气相沉积石墨烯。
2.一种石墨烯改性的陶瓷PTFE基PCB覆铜板,其特征在于,包括陶瓷基半固化片、铜箔;陶瓷基半固化片的两面皆为一层化学气相沉积石墨烯,石墨烯的外面为铜箔。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S5:陶瓷片放置于于化学气相沉积设备腔体中,进行石墨烯生长,在一面或二面均生长石墨烯;
S6:将步骤S5中得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行热压;热压条件为,真空度抽到大于1×10-3mbar后,开始升温,升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃,然后用90-100分钟时间升温到380-405℃。保温时间为120-180分钟;加压的过程分为两步,升温过程施加压力为2-3MPa,保温过程施加压力为2.5-3.5MPa;
S7:步骤S6过程结束后,自然降温至室温,然后卸压,卸压速度应小于0.1MPa/s;将压合好的石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板从热压炉中取出,得到成品。
4.根据权利要求2中所述的一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板,其特征在于,所述步骤S5中,石墨烯生长过程中,化学气相沉积设备真空度大于5×10-4mbar,生长温度为375-380℃。
5.根据权利要求1-2之一所述的一种石墨烯改性的陶瓷基PCB覆铜板,其特征在于,制备方法包括以下步骤:
S1:按重量比,称量98-98.5份Al2O3粉体,0.2-0.5份MgO粉体,0.3-0.6份CaO粉体,0.9-1份SiO2粉体,粉体的粒径小于0.5微米,将称量好的粉体放入球磨机中,加入500ml酒精,以200-300r/min速度,球磨5-7小时;
S2:将步骤S2中得到的混合物,烘干后,用干压成型机,以2-3MPa的压力干压成型;
S3:将步骤S2中得到的陶瓷坯体放置于马弗中,以920-960℃烧结10-12小时;
S4:将步骤S3中得到的陶瓷切割至所需要的厚度,并用2000目砂纸打磨至光滑。
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