[发明专利]晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法有效
申请号: | 201810541801.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN109839076B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 辛文杰;张凱翔;林圣喆;蒯光国 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G01B11/24 | 分类号: | G01B11/24;G01D21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 制程腔室 以及 用于 检查 设备 方法 | ||
一种晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法。在一个示例中,该设备包括:传感器、处理器和寿命预测器。传感器用来捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用来处理这个信息以确定至少一个硬件部分的状况。寿命预测器基于这个硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。
技术领域
本揭露是有关于一种用于检查晶片制程腔室的设备和方法,更具体地涉及一种可以用以确定硬件部分的状况,并预测其寿命的设备和方法。
背景技术
在制造半导体晶片上的元件时,会使用各种制程腔室。例如,半导体晶片的热处理涉及诸如沉积、蚀刻、加热、退火、扩散等的处理,所有这些制程都在制程腔室中执行。诸如蚀刻和化学气相沉积等的一些工艺在低压或真空条件下在制程腔室中进行。
晶片制程腔室包括许多在执行晶片制程期间和之后暴露于加热、蚀刻和/或化学反应的硬件部分。在制造半导体元件期间重复使用之后,晶片制程腔室可能在一些零件上具有腐蚀,在一些零件上损坏和/或消耗。在清洁晶片制程腔室期间,晶片制程腔室的一部分也可能被消耗或损坏。
当晶片制程腔室在晶片制程中被连续使用时,具有被消耗或损坏部件的晶片制程腔室将增加晶片不良率并导致晶片制造中的低产量。因此,需要时常检查晶片制程腔室以确保其硬件品质并防止设备故障。现有的用于检查晶片制程腔室的方法包括通过肉眼进行预防性维护(preventive maintenance,PM)检查,这增加了人工并且在晶片制程期间难以检测到腔室内部的准确故障信号。用于检查晶片制程腔室的现有工具或方法在解决上述缺陷方面仍然不足。
发明内容
在一个实施例中,公开了一种用于检查晶片制程腔室的设备。该设备包括:传感器、处理器和寿命预测器。传感器用以获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用以处理该信息以确定至少一个硬件部分的硬件状况。寿命预测器基于硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。
在另一个实施例中,公开了一种晶片制程腔室。晶片制程腔室包括:壳体、支撑件和光学扫描仪。当晶片被放置在支撑件上并在壳体内被处理时,支撑件位于壳体内部并被配置以支撑晶片。光学扫描仪被连接到壳体并被配置以检查晶片制程腔室的至少一个硬件部分。
在又一个实施例中,公开了一种用于检查晶片制程腔室的方法。该方法包括:通过连接到晶片制程腔室的传感器捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息;处理此信息以确定该至少一个硬件部分的硬件状况;以及基于这个硬件状况来预测至少一个硬件部分余下的预期寿命。
附图说明
当结合附图阅读时,根据以下详细描述可以更好地理解本公开的各方面。注意各种特征不一定按比例绘制。且为了清楚讨论,各种特征的尺寸和形状可以任意增大或减小。在整个说明书和附图中,相似的附图标记表示相似的特征:
图1为绘示根据本揭露一些实施方式的被消耗后的腔室部分的示例性轮廓;
图2为绘示根据本揭露一些实施方式的腔室部分随时间的示例性轮廓变化;
图3为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的示例性晶片处理室;
图4为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的另一示例性晶片处理室;
图5为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的又一示例性晶片处理室;
图6为绘示根据本揭露一些实施方式的由光学扫描仪上的光学传感器获取的腔室部分的信息;
图7为绘示根据本揭露一些实施方式的光学扫描仪的示例图;
图8为绘示根据本揭露一些实施方式的用于检查晶片制程腔室的一示例性方法的流程图;
图9为绘示根据本揭露一些实施方式的用于检查晶片制程腔室的另一示例性方法的流程图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810541801.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。