[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201810503286.3 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN109285848A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 金昶和;朴世廷;金政勋;朴商秀;边炅来;李范硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 第一电极 滤色器 图像传感器 分隔结构 绝缘图案 开口 半导体基板 材料形成 侧表面 光电层 | ||
1.一种图像传感器,包括:
绝缘图案,其设置在半导体基板上并且具有开口;
滤色器,其设置在所述绝缘图案的所述开口中;
盖绝缘层,其设置在所述滤色器上;
第一电极,其设置在所述盖绝缘层上并且具有与所述滤色器重叠的部分;
分隔结构,其围绕所述第一电极的侧表面;以及
光电层,其设置在所述第一电极上,
其中所述分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
第二电极,其设置在所述光电层上,
其中所述光电层和所述第二电极重叠所述第一电极和所述分隔结构,所述第一电极和所述第二电极是透明电极,所述光电层是有机光电层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
通孔,其穿过所述半导体基板;
贯通电极,其设置在所述通孔中;
抗反射层,其设置在所述绝缘图案与所述半导体基板之间以及在所述滤色器与所述半导体基板之间;以及
接触插塞,其穿过所述绝缘图案和所述抗反射层并且电连接到所述贯通电极。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,还包括绝缘衬垫,所述绝缘衬垫插设在所述抗反射层与所述滤色器之间并且在所述绝缘图案与所述滤色器之间以及在所述绝缘图案与所述盖绝缘层之间延伸。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述绝缘衬垫由与所述第一绝缘层的材料不同的材料形成。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述分隔结构还包括设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层,所述第三绝缘层由与所述第二绝缘层的材料不同的材料形成。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述分隔结构还包括设置在所述第一绝缘层下方的基底绝缘层,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有彼此相同的宽度,所述基底绝缘层具有比所述第一绝缘层的宽度更小的宽度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述盖绝缘层具有与所述绝缘图案的上表面共平面的上表面。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
滤色器保护层,其插设在所述滤色器与所述盖绝缘层之间并且在所述盖绝缘层的侧表面上延伸,
其中所述滤色器保护层由与所述盖绝缘层的材料不同的材料形成。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括穿过所述绝缘图案的接触插塞。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一电极在接触所述接触插塞的上表面的同时电连接到所述接触插塞的上表面。
12.根据权利要求10所述的图像传感器,还包括设置在所述第一电极与所述接触插塞之间导电通路,
其中所述导电通路将所述第一电极电连接到所述接触插塞。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,还包括:
接触保护层,其设置在所述绝缘图案上,
其中所述盖绝缘层在覆盖所述滤色器的上表面的同时在所述接触保护层的上表面上延伸,所述导电通路穿过所述盖绝缘层和所述接触保护层。
14.一种图像传感器,包括:
绝缘图案,其设置在半导体基板上并且具有开口;
滤色器,其设置在所述绝缘图案的所述开口中;
盖绝缘层,其设置在所述滤色器上;
电极,其设置在所述盖绝缘层上;
分隔结构,其围绕所述电极的侧表面;以及
光电层,其设置在所述电极和所述分隔结构上,
其中所述分隔结构具有在朝向所述半导体基板的方向上凹入的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的