[发明专利]一种ESD保护器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201810496204.7 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110518008A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杜飞波;陈剑;卢斌;龚宏国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;张建<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂区 二极管阳极 二极管阴极 二极管阵列 电子装置 列方向 衬底 半导体 半导体工艺 导通电阻 方向间隔 隔离结构 间隔设置 虚拟栅极 制作 | ||
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于ESD保护的二极管阵列，所述二极管阵列包括沿行方向间隔设置的用作二极管阳极的P+掺杂区和用作二极管阴极的N+掺杂区，以及沿列方向间隔设置的用作二极管阳极的P+掺杂区和用作二极管阴极的N+掺杂区；
在所述行方向上在相邻的所述P+掺杂区和所述N+掺杂区之间形成有虚拟栅极；
在所述列方向上在相邻的所述P+掺杂区和所述N+掺杂区之间形成有隔离结构。
2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底中形成的阱区，所述二极管阵列形成在所述阱区中。
3.根据权利要求2所述的ESD保护器件，其特征在于，所述阱区为N阱或P阱。
4.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述半导体衬底上还形成有鳍片，所述P+掺杂区包括形成在若干相邻鳍片上的若干子P+掺杂区，所述N+掺杂区包括形成在若干相邻鳍片上的若干子N+掺杂区。
5.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述P+掺杂区和所述N+掺杂区之上形成有用于电连接的导电部件。
6.根据权利要求5所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述二极管阵列中，在所述行方向和所述列方向上具有不同数量的所述导电部件。
7.一种ESD保护器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于ESD保护的二极管阵列，所述二极管阵列包括沿行方向间隔设置的用作二极管阳极的P+掺杂区和用作二极管阴极的N+掺杂区，以及沿列方向间隔设置的用作二极管阳极的P+掺杂区和用作二极管阴极的N+掺杂区；
在所述行方向上在相邻的所述P+掺杂区和所述N+掺杂区之间形成虚拟栅极；
在所述列方向上在相邻的所述P+掺杂区和所述N+掺杂区之间形成隔离结构。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述半导体衬底中形成阱区，所述二极管阵列形成在所述阱区中。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阱区为N阱或P阱。
10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述半导体衬底上形有鳍片，所述P+掺杂区包括形成在若干相邻鳍片上的若干子P+掺杂区，所述N+掺杂区包括形成在若干相邻鳍片上的若干子N+掺杂区。
11.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中的任意一项所述的ESD保护器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
