[发明专利]一种碳化硅陶瓷无压烧结工艺有效

专利信息
申请号: 201810485630.0 申请日: 2018-05-19
公开(公告)号: CN108546128B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 徐军;施永跃 申请(专利权)人: 奉化市飞固凯恒密封工程有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/636;C04B35/64
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 黄勇
地址: 315500 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 陶瓷 烧结 工艺
【权利要求书】:

1.一种碳化硅陶瓷无压烧结工艺,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一:将碳化硅粉料和助剂粉末进行混合,混合均匀后得到预混合物,助剂包括碳化硼、Al2O3、Y2O3中的一种或多种,且至少包括碳化硼;

步骤二:向步骤一所得的预混合物中加入石墨进行混合,混合均匀后得到原料混合物;

步骤三:使用步骤二中所得到原料混合物,将海藻酸钠与水调和后,与原料混合物混合,并经喷雾造粒及干燥操作得到原料粒粉,再通过干压成型得到素坯;

步骤四:对素坯进行无压烧结,得到产品碳化硅陶瓷,

步骤四在待素坯烧结冷却后,进行水洗和干燥操作;

所述碳化硅、碳化硼、石墨和海藻酸钠的配比按质量份数计为碳化硅:75-85份、碳化硼:4-8份、石墨:13-16份和海藻酸钠5-8份。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷无压烧结工艺,其特征在于,所述助剂在原料混合物中所占质量分数小于10wt%,所述石墨在原料混合物中所占质量分数为12-18wt%。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷无压烧结工艺,其特征在于,所述石墨加入预混合物前的粒径为150目。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷无压烧结工艺,其特征在于,步骤四将素坯置于惰性气体的气氛中进行高温烧结且其温度控制为2130-2165℃。

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