[发明专利]一种高纯钼铝硼陶瓷材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810349477.9 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN108546129A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 杨军;王帅;刘维民;程军;朱圣宇;乔竹辉;于源 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622;C04B35/65
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 周瑞华
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种高纯钼铝硼陶瓷材料的制备方法,将Mo、Al和B的元素粉进行混合,通过放电等离子烧结制备得到的高纯MoAlB陶瓷块体材料。本发明所制备的材料具有纯度高、导电导热性好、耐高温等特点,而且制备工艺简单、可控性好。该材料可以在高温环境下作为耐高温结构件和涂层而应用。
搜索关键词: 制备 陶瓷材料 高纯钼 铝硼 放电等离子烧结 耐高温结构件 陶瓷块体材料 导电导热性 高温环境 制备工艺 可控性 耐高温 高纯 应用
【主权项】:
1.一种高纯钼铝硼陶瓷材料的制备方法,其特征在于该陶瓷材料通过将元素粉混合物进行放电等离子烧结制备而成,具体步骤如下:1)配料:将Mo、Al和B元素粉按照摩尔比0.9~1:1~1.2:0.9~1的配比进行配料;2)混料:按照上述比例分别称取Mo、Al和B元素粉,放入碳化钨球磨罐中,通过高能球磨方法获得混合粉末,然后将混合粉末装入模具进行预压;3)烧结:将上述预压的混合粉末置于石墨模具中进行放电等离子烧结,采用的烧结参数为:真空度为10‑1~1 Pa,升温速度为50~150 ºC/min,烧结温度为1250~1350 ºC,压力为30~40 MPa,保温时间5~10 min,烧结完成后随炉冷却至室温。
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  • 一种高熵合金硼化物陶瓷及其制备方法和应用-201910080151.5
  • 龙莹;车金涛;黄路江;林华泰 - 广东工业大学
  • 2019-01-28 - 2019-06-11 - C04B35/58
  • 本发明属硼化物陶瓷材料技术领域,公开了一种高熵合金硼化物陶瓷及其制备方法和应用。所述高熵合金硼化物陶瓷的分子式为Aly(FeNiCoCr)1‑x‑yBx,其中0≤x≤1,0≤y≤1,所述高熵合金硼化物是将Al、Fe、Ni、Co、Cr和B经球磨制得Aly(FeNiCoCr)1‑x‑yBx粉体;再通过放电等离子烧结加热速率50~200℃/min,在800~1500℃,恒定压力10~50Mpa下烧结,随炉冷却制得。本发明制备的Aly(FeNiCoCr)1‑x‑yBx高熵合金硼化物粉末为类球形且粒径小,该陶瓷主相为FCC固溶体中弥散分布着Fe、Cr金属硼化物,具有高致密度、较高的硬度和耐磨性能。
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