[发明专利]反应腔室和半导体设备有效
| 申请号： | 201810481450.5 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110499499B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 半导体设备 | ||
1.一种反应腔室，其特征在于，包括腔体(10)和设于所述腔体(10)内的第一内衬(5)，所述腔体(10)的底壁设有排气口(7)和第一进气口(11)，所述第一内衬(5)为筒状，所述第一内衬(5)与腔体中心轴的距离大于所述排气口(7)与所述腔体中心轴的距离，且小于所述第一进气口(11)与所述腔体中心轴的距离，所述排气口(7)和第一进气口(11)通过气道(2)相连通；
所述第一内衬(5)的顶部与所述腔体(10)的顶壁之间设有间隙。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括基座(3)、设于所述基座(3)上方的气体分配装置(1)和套设于所述基座(3)外部的第二内衬(4)，所述气体分配装置(1)与所述第二内衬(4)连接形成反应空间，所述反应空间通过设于所述第二内衬上的气孔(8)与所述排气口(7)相连通。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体(10)的底壁上设有第二进气口(9)，所述第二进气口(9)与所述反应空间相连通，且靠近所述基座(3)与所述腔体(10)的连接处。
4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述第一内衬(5)包括环形侧壁和与所述环形侧壁连接的环形底壁，所述环形底壁上设有与所述排气口(7)连通的底部排气孔(12)。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一进气口(11)为多个，且多个所述第一进气口沿所述第一内衬(5)的外周均匀分布。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述第一进气口(11)为两个，且两个所述第一进气口相对于所述腔体中心轴对称设置。
7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述排气口(7)为多个，且多个所述排气口沿所述第一内衬(5)的内周均匀分布。
8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述排气口(7)为两个，且两个所述排气口相对于所述腔体中心轴对称设置。
9.一种半导体设备，其特征在于，包括根据权利要求1-8中任一项所述的反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
