[发明专利]蚀刻液、补给液以及铜布线的形成方法

说明书

本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液；并且所述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子、具有五元环的杂芳香族化合物(A)、以及选自由具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)及烷醇胺(B2)所组成的群组中的一种以上的化合物的水溶液；所述(A)为不具有羟烷基，且具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子的杂芳香族化合物；所述(B1)为具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子，且经含有碳数1以上5以下的羟烷基的取代基所取代的杂芳香族化合物；所述(B2)为具有通式(1)：R¹‑N(R²)‑R³的化合物(通式(1)中，R¹及R²独立地表示烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，R³表示氢原子、烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，且R¹至R³中至少一个为所述羟烷基)。

技术领域

本发明涉及一种铜的蚀刻液及其补给液、以及铜布线的形成方法。

背景技术

在印刷布线板的生产中，在利用光刻法(photo ecthing method)形成铜布线图案的情况下，一直使用氯化铁系蚀刻液、氯化铜系蚀刻液、碱性蚀刻液等作为蚀刻液。使用这些蚀刻液时，存在被称为侧向蚀刻(side etching)的抗蚀剂下的铜从布线图案侧面溶解的情况。即，本来期望通过被抗蚀剂覆盖而不被蚀刻除去的部分(即，铜布线部分)被蚀刻液除去，而产生宽度从该铜布线的底部到顶部逐渐变细的现象。特别在铜布线图案微细的情况下，必须尽可能减少这样的侧向蚀刻。为了抑制该侧向蚀刻，提出了调配有作为杂芳香五元环化合物的唑化合物的蚀刻液(参见日本专利特开2007-332430号公报、日本专利特开2005-330572号公报、日本专利特开2009-79284号公报、日本专利特开2009-221596号公报)。

发明内容

关于上述的专利文献中公开的蚀刻液，可期待一定的侧向蚀刻抑制效果。但是，随着市场上精细化要求的增强，需求一种具有侧向蚀刻的抑制效果并且铜布线的精细图案形成优异的蚀刻液。

本发明是鉴于上述实际情况而成，提供一种侧向蚀刻的抑制效果高且铜布线的精细图案形成优异的蚀刻液及其补给液、以及铜布线的形成方法。

本发明涉及一种蚀刻液，该蚀刻液为铜的蚀刻液。并且上述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子、具有五元环的杂芳香族化合物(A)、以及选自由具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)及烷醇胺(B2)所组成的群组中的一种以上的化合物的水溶液。上述具有五元环的杂芳香族化合物(A)为不具有羟烷基，且具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子的杂芳香族化合物。上述具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)为具有一个以上的氮原子作为构成环的杂原子，且经含有碳数1以上5以下的羟烷基的取代基所取代的杂芳香族化合物。上述烷醇胺(B2)为具有通式：R¹-N(R²)-R³的化合物(通式中，R¹及R²独立地表示烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，R³表示氢原子、烷基或碳数1以上8以下的羟烷基，且R¹至R³中至少一个为上述羟烷基)。

在本发明的一个方面，所述酸为盐酸。

在本发明的一个方面，氧化性金属离子为铜离子。

在本发明的一个方面，具有五元环的杂芳香族化合物(A)为选自由咪唑化合物、吡唑化合物、三唑化合物及四唑化合物所组成的群组中的一种以上的化合物。

在本发明的一个方面，具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)仅具有一个以上的氮作为构成环的杂原子。