[发明专利]氧化铪单晶光纤及其制备方法与应用有效
申请号: | 201810478832.2 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108330540B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 贾志泰;陶绪堂;王涛;张健 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B15/00;C30B33/02 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 铪单晶 光纤 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种氧化铪单晶光纤,其特征在于,该光纤的化学组成为稳定剂掺杂的氧化铪单晶;
所述的稳定剂为Y2O3、ZrO2、Al2O3或Er2O3,每种稳定剂的掺杂量占氧化铪单晶总摩尔百分比如下:Y2O3 10%-20%、ZrO2 5%-15%、Al2O3 2%-16%、Er2O3 10%-20%;
所述的光纤的直径为0.5-1.5mm,所述的光纤长度≥12cm。
2.根据权利要求1所述的氧化铪单晶光纤,其特征在于,所述的氧化铪单晶为立方晶系,熔点2750-2800℃,密度10.43g/cm3,热膨胀系数5.6×10-6/K,热导率2.5-2.9W/(m·K),折射率2-2.15,透光范围220-12000nm,硬度~20GPa。
3.权利要求1-2任一项所述的氧化铪单晶光纤的制备方法,包括:
将氧化铪和稳定剂混合制备氧化铪籽晶和氧化铪原料步骤;
氧化铪原料激光熔融步骤,将氧化铪原料中心置于激光中心处进行原料熔融,激光器的功率为250-400W;
氧化铪籽晶在氧化铪熔融料中收颈、放肩、等径生长和提脱步骤;收颈过程中控制激光器的功率190-260W;放肩、等径生长过程中控制激光器的功率170-240W;收颈过程中当籽晶直径收细至0.3-0.5mm时,进行放肩及等径生长;等径生长过程中,提拉速度为0.1-1.2mm/分钟;等径生长过程中氧化铪原料同时进行给料,给料速度为0.05-0.5mm/分钟。
4.根据权利要求3所述的光纤的制备方法,其特征在于,晶体提脱后还包括高温退火步骤。
5.根据权利要求3所述的光纤的制备方法,其特征在于,制备氧化铪籽晶和氧化铪原料的步骤如下:
将氧化铪和稳定剂纳米粉体混合均匀,等静压压制成料棒, 于1300-1650℃烧结10-40h,烧结得到的料棒作为氧化铪籽晶和氧化铪原料。
6.根据权利要求5所述的光纤的制备方法,其特征在于,等静压的压力为200-300MPa。
7.根据权利要求4所述的光纤的制备方法,其特征在于,高温退火步骤中,将晶体在空气中进行中高温退火处理,退火温度为1200-1650℃,恒温时间24-48h,退火完成后以(0.5-1)℃/min的速率降温,以消除晶体中的热应力。
8.权利要求1-2任一项所述的氧化铪单晶光纤作为高温传感材料的应用。
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