[发明专利]一种CdxZn1-xSe@ZnS量子点制备的白光LED器件

权利要求书

1.一种Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点制备的白光LED器件，其特征在于，包括设有散热器的反光罩、设置于所述反光罩内侧底部的LED 芯片、与所述反光罩盖合的透光罩和用于覆盖所述LED芯片表面的量子点发光胶体，所述量子点发光胶体由Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点和硅胶混合制备而成，所述Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点由Cd_xZn_1-xSe核层和ZnS壳层组成，所述ZnS壳层表面包裹有疏水配体，其中x大于0且小于1。

2.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于，所述Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点的直径为2~10nm。

3.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于，所述Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点的激发波长为280~770nm。

4.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于，所述Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点由如下步骤制备得到：

S1. 制备含有镉离子和锌离子的油酸溶液；制备含有Se的1-十八烯溶液；制备含有S的磷酸三丁酯溶液；所述镉离子和锌离子的摩尔比为1:10；反应体系保持无氧环境；

S2. 将步骤S1.的油酸溶液升温至300℃，然后加入步骤S1.的1-十八烯溶液并反应10min；接着升温至310℃，加入步骤S1.的磷酸三丁酯溶液，反应30min，经分离提纯后制备得到Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点。

5.根据权利要求4所述的白光LED器件，其特征在于，步骤S2.中分离提纯的操作为：通过添加乙醇将反应液中的Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点沉降，然后离心洗涤至少5次。

6.根据权利要求1所述的白光LED器件，其特征在于，所述LED芯片为蓝光LED芯片。

7.根据权利要求6所述的白光LED器件，其特征在于，所述LED芯片为蓝光氮化镓LED芯片，所述蓝光氮化镓LED芯片包括依次叠装的基板、N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层设有N电极，所述P型氮化镓层设有P电极；所述基板与所述反光罩固定连接。

8.根据权利要求7所述的白光LED器件，其特征在于，所述基板为蓝宝石基板、硅基板、氮化镓基板或氮化铝基板。

9.权利要求1~8任一项所述的白光LED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点与硅胶混合得到量子点发光材料，然后将制得的量子点发光材料覆盖LED芯片表面，经100℃真空干燥30min后，在150℃条件下加热固化100min，然后组装散热器、反光罩和透光罩。