[发明专利]接触结构

说明书

本发明实施例公开一种接触结构和半导体器件以及其形成方法。所述接触结构包含第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设置在第一介电层中。所述第二金属层设置在第二介电层中并延伸到所述第一介电层中以电连接所述第一金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层包含不同金属。

技术领域

本发明实施例涉及一种接触结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经历指数成长。IC材料以及设计的技术进展已生产数代IC，其中每一代具有比前一代小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片区域互连器件的数目)一般会增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))会减小。此按比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关联成本来提供效益。

这类按比例缩小也增加了接触电阻(例如栅极接触电阻、源极接触电阻与漏极接触电阻)的变化。尽管现有场效晶体管以及形成场效晶体管的方法一般已足够用于其预期目的，但是其并非在所有方面完全令人满意。

发明内容

根据本发明的实施例，一种接触结构包含第一金属层和第二金属层。第一金属层设置在第一介电层中。第二金属层设置在第二介电层中并延伸到第一介电层中以电连接第一金属层，其中第一金属层和第二金属层包含不同金属。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，会从中最好地理解本发明的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增加或减小各种特征的关键尺寸。

图1A到图1F是根据本发明的一些实施例的形成半导体器件的各种阶段下的横截面视图。

图2示出说明根据本发明的一些实施例的形成半导体器件的方法的流程图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体器件的横截面视图。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体器件的横截面视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些只是实例且并不意图为限制性的。例如，在以下描述中，第二特征在第一特征上方或上的形成可包含第二特征和第一特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可以在各种实例中重复参考标号及/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为易于描述，可使用空间相对术语，如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上覆”、“在…之上”、“上部”等来描述一个元件或特征与图中所示出的另一元件或特征的关系。除图中所描绘的取向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的器件的不同取向。设备可以其它方式取向(旋转90度或处于其它取向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。

可以通过任何合适的方法对鳍片图案化。例如，可使用一或多个光刻工艺(包含双重图案化工艺或多重图案化工艺)对鳍片图案化。一般来说，双重图案化或多重图案化工艺将光刻工艺与自对准工艺进行组合，从而允许产生(例如)间距小于另外可以使用单一光刻工艺获得的图案的图案。例如，在一个实施例中，牺牲层形成在衬底上方，并使用光刻工艺来图案化。使用自对准工艺将间隔物(spacer)形成在图案化的牺牲层旁边。接着移除所述牺牲层，并且接着可将剩余的间隔物用于对鳍片进行图案化。