[发明专利]基板加工设备在审
申请号: | 201810448779.1 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN108546930A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 河闰圭;金圣国;金贤悟;朴一英 | 申请(专利权)人: | 无限股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/509;H01J37/32 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺气 基板 基板加工设备 气体分配模块 最小化 解离 等离子体 等离子体放电 电极插入部 反应空间 加工腔室 突起电极 电极 对基板 分配孔 绝缘板 上框架 下框架 沉积 薄膜 损伤 退化 贯穿 分配 | ||
1.一种基板加工设备,包括:
加工腔室,用于提供反应空间;以及
气体分配模块,设置在所述加工腔室中,
其中,所述气体分配模块包括:
下框架,具有多个电极插入部;以及
上框架,具有多个突起电极,所述多个突起电极分别插入到所述多个电极插入部中。
2.根据权利要求1所述的基板加工设备,
其中,所述气体分配模块将工艺气分配到基板上,
其中,所述基板与所述突起电极的每一个的下表面之间的间距与所述基板与所述下框架的下表面之间的间距不同。
3.根据权利要求1所述的基板加工设备,其中,所述上框架包括多个工艺气分配孔,所述多个工艺气分配孔形成在所述多个突起电极中以将所述工艺气分配到所述基板上。
4.根据权利要求1所述的基板加工设备,其中,所述气体分配模块包括多个稀释气分配孔,所述多个稀释气分配孔穿过所述上框架并且与所述突起电极的外围对应。
5.根据权利要求1所述的基板加工设备,
其中,所述下框架的电极插入部、插入到所述电极插入部中的一个突起电极以及所述突起电极与所述下框架之间的间隙空间构成一个等离子体放电单元,
在所述等离子体放电单元的每一个中形成的所述突起电极的长度在每个区域以不同方式设置。
6.根据权利要求1所述的基板加工设备,还包括设置在所述加工腔室上方的腔室盖,
其中,所述气体分配模块包括设置在所述上框架与所述腔室盖之间的工艺气缓冲空间,
其中,所述上框架包括穿过所述突起电极的多个工艺气分配孔,
其中,所述工艺气缓冲空间与所述多个工艺气分配孔连通。
7.根据权利要求1所述的基板加工设备,
其中,所述气体分配模块将工艺气分配到基板上,
其中,所述突起电极与所述电极插入部之间的间距小于所述突起电极的下表面与所述基板之间的间距。
8.根据权利要求1所述的基板加工设备,
其中,所述气体分配模块将工艺气分配到基板上,
其中,所述基板与所述突起电极的每一个的下表面之间的间距大于所述基板与所述下框架的下表面之间的间距。
9.根据权利要求1所述的基板加工设备,其中,所述电极插入部的每一个具有圆形或多边形横截面,每个突起电极的横截面的形状与所述电极插入部的横截面的形状相同,每个突起电极由所述电极插入部围绕。
10.根据权利要求1所述的基板加工设备,其中,所述多个电极插入部被布置成点阵结构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的