[发明专利]新型制备不粘锅涂层的方法在审
申请号: | 201810427145.8 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN108611622A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 吴明忠;湛兰;李慕勤;闫洪泽 | 申请(专利权)人: | 佳木斯大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/40;A47J36/02;C23C16/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 贾泽纯 |
地址: | 154007 黑龙江省佳*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不粘锅涂层 制备 材料表面处理技术 等离子体 空心阴极效应 金属锅体 空心阴极 膜层结构 封闭体 金属网 | ||
1.新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于新型制备不粘锅涂层的方法是按以下步骤进行:
一、空心阴极结构制备:将金属网(3)与金属锅(2)连接形成封闭腔体,然后放置在真空室(1)内的绝缘柱上,将金属网(3)与高频高压脉冲电源(7)的高压脉冲输出端相连;
二、溅射清洗:将真空室(1)抽真空,待真空室(1)内的真空度小于10-3Pa时,通入氮气或混合气体至真空室(1)内的真空度为1~3Pa,开启高频高压脉冲电源(7),调整高频高压脉冲电源输出,在金属网(3)与金属锅(2)体形成的封闭体内产生空心阴极放电,高能Ar+和H+溅射清洗锅体内表面,对清洁后的金属网(3)与金属锅(2)进行溅射清洗;所述混合气体为氩气与氢气的混合气体;
三、Si过渡层制备:①:向真空室(1)内通入含Si元素气体1~5s,开启高频高压脉冲电源(7),调节高频高压电源输出脉冲电压值为1~6kV;②:采用高能氩离子轰击8~10min;③:连续重复第①步和第②步5~10次,形成Si元素与基体金属混杂层;
四、DLN膜制备:向真空室(1)内通入碳前驱体和含有硅元素及氧元素的气体进行DLN不粘涂层的制备。
2.新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于新型制备不粘锅涂层的方法是按以下步骤进行:
一、空心阴极结构制备:将金属网(3)与金属锅(2)连接形成封闭腔体,然后放置在真空室(1)内的绝缘柱上,将金属网(3)与高频高压脉冲电源(7)的高压脉冲输出端相连;
二、溅射清洗:将真空室(1)抽真空,待真空室(1)内的真空度小于10-3Pa时,通入氮气或混合气体至真空室(1)内的真空度为1~3Pa,开启高频高压脉冲电源(7),调整高频高压脉冲电源输出,在金属网(3)与金属锅(2)体形成的封闭体内产生空心阴极放电,高能Ar+和H+溅射清洗锅体内表面,对清洁后的金属网(3)与金属锅(2)进行溅射清洗;所述混合气体为氩气与氢气的混合气体;
三、等离子渗氮:向真空室(1)内通入氮气和氢气的混合气体,在金属网(3)与金属锅(2)形成的封闭腔体内产生辉光放电,进行等离子渗氮;
四、Si过渡层制备:①:向真空室(1)内通入含Si元素气体1~5s,开启高频高压脉冲电源(7),调节高频高压电源输出脉冲电压值为1~6kV;②:采用高能氩离子轰击8~10min;③:连续重复第①步和第②步5~10次,形成Si元素与基体金属混杂层;
五、DLN膜制备:向真空室(1)内同时通入碳前驱体和含有硅元素及氧元素的气体进行DLN不粘涂层的制备。
3.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤一中金属网(3)与金属锅(2)形成的封闭腔体的高度为150mm~200mm。
4.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤二中高频高压脉冲电源输出脉冲的电压值为1~6kV,脉冲频率为500Hz~3000Hz,脉宽为5μs~50μs。
5.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤三中所述等离子渗氮的电压值为1~6kV,脉冲频率为500Hz~3000Hz,脉宽为5μs~50μs。
6.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤四中Si过渡层制备的工艺参数:电压值为1~6kV,脉冲频率为500Hz~3000Hz,脉宽为5μs~50μs。
7.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤五中所述碳前驱体为甲烷或乙炔;所述碳前驱体的流速为100sccm。
8.根据权利要求2所述的新型制备不粘锅涂层的方法,其特征在于步骤五中所述含有硅元素及氧元素的气体为六甲基二硅氧烷;所述含有硅元素及氧元素的气体的流速为10sccm~50sccm。
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