[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板。阵列基板包括：基板；缓冲层，设置于基板上；有源层，设置于缓冲层上；第一绝缘层；栅极，设置于第一绝缘层上；第二绝缘层；触控信号线、源极和漏极，触控信号线、源极和漏极位于同层并设置于第二绝缘层上，源极和漏极分别连接于有源层；第一电极，设置于第二绝缘层上；平坦化层，设置于第一电极上；第二电极，设置于平坦化层上；第一电极、第二电极中的一者与漏极连接，第一电极、第二电极中的另一者与触控信号线连接。本发明能减少光罩制程，缩短制作周期。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

【背景技术】

低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)具有高的电子迁移率，有利于减小薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件的面积，从而提升像素的开口率，增大显示面板的显示亮度以及降低显示面板整体的功耗。

然而，制造基于LTPS技术的显示面板的工艺较复杂，体现在：

基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板需要成膜的膜层较多(一般需要10层甚至是更多层的膜层)，需要使用较多的光罩数量。

因此，传统的基于LTPS技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方式不利于缩短制作周期。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，其能减少基于LTPS技术的阵列基板的制作过程中所需的光罩制程，缩短该阵列基板的制作周期。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；有源层，所述有源层设置于所述缓冲层上；第一绝缘层；栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层；触控信号线、源极和漏极，所述触控信号线、所述源极和所述漏极位于同层并设置于所述第二绝缘层上，所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层；第一电极，所述第一电极设置于所述第二绝缘层上；平坦化层，所述平坦化层设置于所述第一电极上；第二电极，所述第二电极设置于所述平坦化层上；其中，所述第一电极、所述第二电极中的一者与所述漏极连接，所述第一电极、所述第二电极中的另一者与所述触控信号线连接；所述栅极是通过在所述第一绝缘层上依次设置第一金属层和光阻构件，对所述第一金属层实施第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板所在的平面上具有第一遮挡范围，同时保持向具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层实施所述第二光罩制程，以使所述第一金属层在所述基板所在的平面上具有第二遮挡范围来形成的；所述有源层的第一部分中的N+离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层具有第一遮挡范围后，向所述有源层中未被具有所述第一遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第一部分植入的，所述有源层的第二部分中的N-离子是在向所述第一金属层实施所述第二光罩制程的过程中，使得所述第一金属层从第一遮挡范围缩减为第二遮挡范围后，向所述有源层中未被具有所述第二遮挡范围的所述第一金属层遮挡的第二部分植入的；所述第二遮挡范围小于所述第一遮挡范围。

在上述阵列基板中，所述第一电极与所述漏极连接，所述第一电极的至少一部分设置于所述漏极上，或者，所述漏极的至少一部分设置于所述第一电极上；所述触控信号线通过设置于所述平坦化层的第三通孔与所述第二电极连接。

在上述阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层和所述平坦化层之间的第三绝缘层，以及连接电极，所述第二电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第五通孔与所述漏极连接；所述第一电极设置于所述第三绝缘层上，所述连接电极通过设置于所述平坦化层和所述第三绝缘层的第三通孔和设置于所述平坦化层的第四通孔连接所述触控信号线和所述第一电极。