[发明专利]一种用于测量介电常数的微型双层磁耦合微波传感器有效
申请号: | 201810419905.0 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108872710B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 徐魁文;刘洋;赵文生;陈世昌;赵鹏;王高峰 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 黄前泽 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 介电常数 微型 双层 耦合 微波 传感器 | ||
1.一种介电常数测量方法,其特征在于以介电常数为1时的频率为参考,即传感器上方为空气时测得参考频率,再固定在微型双层磁耦合微波传感器顶层电场强度最强的区域放置同样大小的待测介质块,当待测介质块介电常数不同时,会与参考频率产生频率差,这个频率差会随着待测介质块介电常数的变化而不同,因此根据具体的频率差即可推算出待测介质块的介电常数;
上述微型双层磁耦合微波传感器包括介质基板、顶层SRRs环、底层馈电环;
介质基板的顶层印刷耦合顶层SRRs环,底层印刷底层馈电环;其中底层馈电环向环外延伸出馈电长脚,用于连接SMA连接头;
顶层SRRs环、底层馈电环、介质基板的中心位于同一直线;
所述的顶层SRRs环开口处均向环内延伸;其中顶层SRRs环环内延伸部分为电场强度最大的区域。
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