[发明专利]苯达莫司汀杂质G的合成方法

权利要求书

1.一种合成杂质G的方法，其特征在于：(ii)化合物B在水解条件下，制备得到杂质G；

其中R选自C_1-10的烷基。

2.根据权利要求1所述的合成杂质G的方法，其特征在于：(i)化合物B由化合物A-1和化合物A-2制备得到；

其中，M选自锂，钠，钾；R选自C_1-10的烷基。

3.根据权利要求2所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(i)的反应试剂选自碘化钠、碘化钾、四丁基碘化铵、碘化锂、碘化铝或碘。

4.根据权利要求2所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(i)的反应溶剂选自醇类、DMF、丙酮、环己酮、乙腈、甲苯、二甲醚、N-甲基吡咯烷酮、DMSO、二甲基乙酰胺。

5.根据权利要求2所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(i)的反应温度选自20℃～150℃；优选自60℃～150℃；更优选自80℃～150℃。

6.根据权利要求1所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(ii)的水解条件为酸催化的水解反应。

7.根据权利要求6所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(ii)的水解条件中酸可以是盐酸、硫酸、磷酸、甲烷磺酸或对甲苯磺酸。

8.根据权利要求6所述的合成杂质G的方法，其特征在于：步骤(ii)的水解条件中溶剂选自甲醇、乙醇、乙腈或氯化氢水溶液等。

9.根据权利要求1或2所述的合成杂质G的方法，其中R选自取代或非取代的甲基、取代或非取代的乙基、取代或非取代的异丙基、取代或非取代的丁基、取代或非取代的戊基、取代或非取代的正己烷基、取代或非取代的正庚烷基、取代或非取代的正辛烷基、取代或非取代的正壬烷基、取代或非取代的正癸烷基，其中取代基选自C_1-6的烷基，C_1-6的烷氧基，C_2-6的烯基，C_2-6的炔基。

10.一种合成化合物B的方法，其特征在于：(i)化合物B由化合物A-1和化合物A-2制备得到；

其中，M选自锂，钠，钾；R选自C_1-10的烷基。

11.根据权利要求10所述的合成化合物B的方法，其中R选自取代或非取代的甲基、取代或非取代的乙基、取代或非取代的异丙基、取代或非取代的丁基、取代或非取代的戊基、取代或非取代的正己烷基、取代或非取代的正庚烷基、取代或非取代的正辛烷基、取代或非取代的正壬烷基、取代或非取代的正癸烷基，其中取代基选自C_1-6的烷基，C_1-6的烷氧基，C_2-6的烯基，C_2-6的炔基。

12.根据权利要求10所述的合成化合物B的方法，其特征在于：步骤(i)的反应试剂选自碘化钠、碘化钾、四丁基碘化铵、碘化锂、碘化铝或碘。

13.根据权利要求10所述的合成化合物B的方法，其特征在于：步骤(i)的反应溶剂选自醇类、DMF、丙酮、环己酮、乙腈、甲苯、二甲醚、N-甲基吡咯烷酮、DMSO、二甲基乙酰胺。

14.根据权利要求10所述的合成化合物B的方法，其特征在于：步骤(i)的反应温度选自20℃～150℃；优选自60℃～150℃；更优选自80℃～150℃。

15.一种中间体化合物，

其中R选自C_1-10的烷基。