[发明专利]半导体装置及半导体电路装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一个第一导电型区，选择性地设置在半导体基板的正面的表面层；

第二导电型的第一半导体区，选择性地设置在所述第一个第一导电型区的内部；

第二导电型的第二半导体区，选择性地设置在所述第一半导体区的内部，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度低；

第一导电型的第三半导体区，选择性地设置在所述第二半导体区的内部；

第二导电型的第四半导体区，与所述第二半导体区分离而选择性地设置在所述第一半导体区的内部，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；

第一导电型的第五半导体区，与所述第一半导体区分离而选择性地设置在所述第一个第一导电型区的内部；

第一导电型的第六半导体区，选择性地设置在所述第五半导体区的内部，且杂质浓度比所述第五半导体区的杂质浓度高；

第二导电型区，是所述半导体基板的除了所述第一个第一导电型区之外的部分；

第一电极，电连接于所述第三半导体区；以及

第二电极，电连接于所述第四半导体区和所述第六半导体区，

所述第六半导体区位于与所述第四半导体区之间的距离大于所述第三半导体区与所述第四半导体区之间的距离的位置，且被配置在相对于所述第四半导体区而与所述第三半导体区相同一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第六半导体区被配置在与所述第四半导体区相比距所述第三半导体区相对近的位置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第六半导体区隔着所述第三半导体区与所述第四半导体区相对。

4.一种半导体电路装置，其特征在于，具备第一电路，所述第一电路为将权利要求1～3中任一项所述的半导体装置作为最靠高电位侧的第一二极管，并将包括该第一二极管的多个二极管串联连接而成，

所述半导体电路装置具备：

第一端子；

比所述第一端子电位低的第二端子；

连接在所述第一端子与所述第二端子之间的第二电路；以及

在所述第一端子与所述第二电路之间，与所述第二电路并联连接的所述第一电路，

多个所述二极管以阴极为所述第一端子侧，以阳极为所述第二端子侧而串联连接在所述第一端子与所述第二端子之间，

所述第一电极电连接于所述第一端子，

所述第二电极电连接于多个所述二极管中的除了所述第一二极管之外最靠所述第一端子侧的第二二极管的阴极。

5.根据权利要求4所述的半导体电路装置，其特征在于，

多个所述二极管中的除了所述第一二极管之外的所述二极管具备：

第二个第一导电型区，与所述第一个第一导电型区分离而选择性地设置在所述半导体基板的正面的表面层；

第二导电型的第七半导体区，选择性地设置在所述第二个第一导电型区的内部；

第一导电型的第八半导体区，选择性地设置在所述第七半导体区的内部；

第二导电型的第九半导体区，与所述第八半导体区分离而选择性地设置在所述第七半导体区的内部，且杂质浓度比所述第七半导体区的杂质浓度高；

第一导电型的第十半导体区，与所述第七半导体区分离而选择性地设置在所述第二个第一导电型区的内部，且杂质浓度比所述第二个第一导电型区的杂质浓度高；

第三电极，电连接于所述第八半导体区和所述第十半导体区；以及

第四电极，电连接于所述第九半导体区。

6.根据权利要求5所述的半导体电路装置，其特征在于，

所述第二二极管的所述第三电极电连接于所述第二电极。

7.根据权利要求5或6所述的半导体电路装置，其特征在于，

多个所述二极管中的最靠所述第二端子侧的所述二极管的所述第四电极电连接于所述第二端子。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体电路装置，其特征在于，

所述第一端子为电源端子，

所述第二端子为接地端子，

所述第一电路为保护所述第二电路不受施加到所述第一端子的过电压影响的保护电路。