[发明专利]去疵层形成方法

说明书

提供去疵层形成方法，能够形成不使抗折强度降低的去疵层。一种去疵层形成方法，在晶片的背面上形成去疵层，该晶片在正面上形成有器件，其中，该去疵层形成方法包含如下的步骤：涂布步骤，将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上；以及干燥步骤，在实施了涂布步骤之后，使晶片干燥而在背面上形成去疵层。

技术领域

本发明涉及去疵层形成方法，在晶片上形成具有捕集杂质的功能的去疵层。

背景技术

为了使组装到电子设备等的器件芯片薄型化、轻量化，增加了利用磨削等方法将分割成器件芯片之前的晶片加工得更薄的机会。例如，一边使由磨粒分散到结合材料而成的工具(磨削磨具)旋转，一边将其推抵于晶片的被加工面，从而能够对该晶片进行磨削而使其变薄。

但是，当利用上述的磨削对晶片进行加工时，在被加工面上产生微细的损伤及应变等。该损伤及应变等具有捕集对器件芯片造成不良影响的铜(Cu)等杂质的去疵功能。因此，通过在晶片中残留损伤及应变等，能够将因杂质引起的器件芯片的不良率抑制得较低。

另一方面，当在晶片中残留有损伤及应变等的状态下，器件芯片的抗折强度容易变低。因此，在对晶片进行了磨削之后，在很多情况下通过研磨或蚀刻等方法将损伤及应变等去除。另外，在该情况下，通过在晶片中再次形成所需最小限度的损伤及应变等来得到所需的去疵功能(例如，参照专利文献1、2、3等)。

专利文献1：日本特开2014-63786号公报

专利文献2：日本特开2015-46550号公报

专利文献3：日本特开2016-182669号公报

但是，即使是在通过研磨或蚀刻等方法将损伤及应变等去除之后对晶片再次形成所需最小限度的损伤及应变等的上述的方法，器件芯片的抗折强度也会稍微降低。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供去疵层形成方法，能够形成不使抗折强度降低的去疵层。

根据本发明的一个方式，提供去疵层形成方法，在晶片的背面上形成去疵层，该晶片在正面上形成有器件，其中，该去疵层形成方法具有如下的步骤：涂布步骤，将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上；以及干燥步骤，在实施了该涂布步骤之后，使晶片干燥而在该背面上形成去疵层。

在本发明的一方式中，有时该金属盐包含2价的金属，该去疵层含有每1cm²为1×10¹³个以上的该金属原子。并且，在本发明的一个方式中，有时该金属盐包含3价的金属，该去疵层含有每1cm²为1×10¹²个以上的该金属原子。

在本发明的一个方式的去疵层形成方法中，将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上，之后，使晶片干燥而在背面上形成包含金属盐的去疵层。因此，利用该金属盐的作用在去疵层中捕集对器件造成不良影响的杂质。

并且，在该去疵层形成方法中，不需要如以往那样在晶片中形成具有去疵功能的损伤及应变等。也就是说，晶片的抗折强度不会因损伤及应变等降低。这样，根据本发明的一个方式的去疵层形成方法，能够形成不使抗折强度降低的去疵层。

附图说明

图1的(A)是示意性地示出在本实施方式的去疵层形成方法中使用的晶片的结构例的立体图，图1的(B)是用于说明保护部件粘贴步骤的立体图。

图2的(A)是用于说明磨削步骤的侧视图，图2的(B)是用于说明研磨步骤的侧视图。

图3的(A)和图3的(B)是用于说明涂布步骤的侧视图。

图4是用于说明干燥步骤的侧视图。

标号说明