[发明专利]一种掩膜板及其制作方法有效
申请号: | 201810373524.3 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108598292B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 卢真真;孙田雨;叶添昇 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张俊杰 |
地址: | 430040 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括:
至少一个开口;
围绕设置在所述开口周缘的遮挡区;
所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面,所述开口贯穿所述第一表面和所述第二表面,所述遮挡区的所述第一表面上设置有第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连;
其中,所述第一凹槽的底面所在平面与侧壁所在平面相交形成的两个半平面的夹角为钝角;且所述第一凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度为h,其中,10μm≤h≤30μm。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在沿第一方向上,所述第一凹槽的底面宽度与所述开口长度的比例小于或等于五分之一,其中,所述第一方向为所述开口中心指向所述第一凹槽的方向。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的底面宽度为w,其中,50μm≤w≤100μm。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述开口呈阵列排布,所述开口沿所述阵列的行方向和列方向上的长度均大于或等于0.5mm。
5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽的所述底面和所述侧壁的连接为线连接或弧面连接。
6.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的四周设置。
7.根据权利要求6所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽沿所述开口的边缘一整圈设置。
8.根据权利要求6所述的掩膜板,其特征在于,所述第一凹槽包括多个第一子凹槽,多个所述第一子凹槽沿所述开口的四周间断设置。
9.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述遮挡区设置有多个混色标志和多个第二凹槽,所述第二凹槽位于所述第一凹槽之外的区域,且与所述混色标志间隔设置。
10.根据权利要求9所述的掩膜板,其特征在于,所述第二凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半;
所述第二凹槽在所述开口指向所述第二凹槽的方向上的宽度为W1,所述遮挡区的第一表面在所述开口指向所述第二凹槽的方向上的宽度为W2,其中,W1满足:
所述第二凹槽在相邻两个混色标志相连的方向上的长度为L1,所述相邻两个混色标志之间的距离为L2,其中,L1满足:L1≤(L2-3cm)。
11.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板为长方形,位于所述掩膜板长度方向的中间区域的遮挡区还包括呈阵列排布的第三凹槽。
12.根据权利要求11所述的掩膜板,其特征在于,所述第三凹槽的长度为L3、宽度为W3,其中,10mm≤L3≤20mm;3mm≤W3≤5mm;相邻两个所述第三凹槽之间的距离为D,其中,D≥0.5mm;所述第三凹槽在沿所述掩膜板的厚度方向上的深度小于所述掩膜板厚度的一半。
13.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的热膨胀系数为A,其中,0.8*10-6/℃≤A≤1.6*10-6/℃。
14.一种掩膜板制作方法,其特征在于,用于制作权利要求1所述的掩膜板,所述掩膜板制作方法包括:
提供掩膜板,所述掩膜板包括第一表面和与之相对的第二表面;
在所述掩膜板上形成至少一个贯穿所述第一表面和所述第二表面的开口,围绕所述开口周缘的掩膜板为遮挡区;
在所述遮挡区的第一表面形成第一凹槽,所述第一凹槽与所述开口相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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