[发明专利]彩色滤光片及背照式图像传感器在审
申请号: | 201810348514.4 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN108538873A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 王亮;内藤達也;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤光片层 背照式图像传感器 彩色滤光片 滤光片 半导体制造技术 预设波长光 光学串扰 间隔设置 响应性能 入射光 透射率 串扰 叠置 光谱 穿过 | ||
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种彩色滤光片及背照式图像传感器。所述彩色滤光片,包括相互叠置的第一滤光片层和第二滤光片层,入射光依次穿过所述第一滤光片层、所述第二滤光片层;所述第一滤光片层包括间隔设置的多个第一子滤光片,多个第一子滤光片包括至少两种颜色的滤光片;所述第二滤光片层用于减少预设波长光的透射率,以避免光学串扰。本发明提供的彩色滤光片及背照式图像传感器,避免了背照式图像传感器中光谱串扰的问题,提高了背照式图像传感器的响应性能。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种彩色滤光片及背照式图像传感器。
背景技术
所谓图像传感器,是指将光信号转换为电信号的装置。按照其依据的原理不同,可以区分为CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合元件)图像传感器以及CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体元件)图像传感器。由于CMOS图像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作,因此可将图像传感器以及其所需要的外围电路加以整合,从而使得CMOS图像传感器具有更广的应用前景。
按照接收光线的位置的不同,CMOS图像传感器可以分为前照式图像传感器和背照式图像传感器。其中,与前照式图像传感器相比,背照式图像传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了,即将感光层的元件入射光路调转方向,让光线能从背面直射进去,避免了在前照式图像传感器中,光线会受到微透镜和光电二极管之间的结构和厚度的影响,提高了光线接收的效能。
彩色滤光片是背照式图像传感器的重要组成部分,其作用是允许特定波长的光通过,而将其他波长的光吸收或者反射。现有技术中常见的彩色滤光片是由红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片组成的。附图1是不同颜色光的量子效应曲线。由图1可以看出,由于蓝光B(Blue)与绿光G(Green)存在波长范围为475μm~500μm的交叠区域、即青色光区域11,且绿光与红光R(Red)存在波长范围为575μm~600μm的交叠区域、即橙色光区域12。这就导致了进入光电二极管的可见光中,出现蓝光与绿光的串扰、红光与绿光的串扰,即所谓的光谱串扰。这对背照式图像传感器的性能会产生较大的影响,不利于背照式图像传感器灵敏度的提高。
因此,如何避免背照式图像传感器中的光谱串扰,提高背照式图像传感器的响应性能,是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种彩色滤光片及背照式图像传感器,用以解决现有的背照式图像传感器中易出现光谱串扰的问题,提高背照式图像传感器的响应性能。
为了解决上述问题,本发明提供了一种彩色滤光片,包括相互叠置的第一滤光片层和第二滤光片层,入射光依次穿过所述第一滤光片层、所述第二滤光片层;所述第一滤光片层包括间隔设置的多个第一子滤光片,多个第一子滤光片包括至少两种颜色的滤光片;所述第二滤光片层用于减少预设波长光的透射率,以避免光学串扰。
优选的,所述第一子滤光片包括蓝色滤光片、绿色滤光片和红色滤光片。
优选的,所述第二滤光片层用于减少波长范围为475μm~500μm光的透射率。
优选的,所述第二滤光片层用于减少波长范围为575μm~600μm光的透射率。
优选的,所述第二滤光片层用于同时减少波长范围为475μm~500μm和575μm~600μm光的透射率。
优选的,所述第二滤光片层包括多个第二子滤光片,且第二子滤光片与第一子滤光片一一对应设置。
优选的,所述第一滤光片层包括第一金属隔离栅,所述第一金属隔离栅用于隔离相邻的第一子滤光片;所述第二滤光片层包括第二金属隔离栅,所述第二金属隔离栅用于隔离相邻的第二子滤光片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的