[发明专利]OLED触控显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201810326704.6 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108520883B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;刘巍 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明涉及一种OLED触控显示面板及其制作方法。该OLED触控显示面板包括:依次设置的TFT阵列基板,OLED层,封装层,透明电极层,触控面板,以及透明电极方框;所述透明电极方框沿所述触控面板边缘设置于所述触控面板上,所述透明电极层和透明电极方框通过地线连接以形成屏蔽环路。本发明还提供了相应的OLED触控显示面板的制作方法。本发明的OLED触控显示面板及其制作方法,通过改变面板触控结构,可避免杂讯干扰问题;既便捷,又无需专门芯片开发,周期短,应用快。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED触控显示面板及其制作方法。
背景技术
随着技术的发展,以LCD和OLED技术为代表的显示技术争奇斗艳,日新月异。当前技术状态下,LCD由于需要液晶控制光线,一般都是硬质屏幕;OLED由于不再使用液晶材料,除了能在硬质基底上制作外,也适用于柔性(Flexible)材质制作,因此普遍把OLED作为未来显示的趋势。
触控(Touch)技术作为一种显示辅助技术,尤其是电容式触控面板,发挥着非常重要的作用。现有的电容式触控面板的制作技术按照结构有外挂式(Out Cell)、外嵌式(Oncell)、内嵌式(In Cell)之分,其中外挂式有FF(Film to Film)、GF(Glass to Film)、GG(Glass to Glass)、OGS(One Glass Solution)等几种技术为代表。随着技术的进步,触控和显示结合愈来愈紧密,各大显示面板厂陆续研发出并倡导外嵌式、内嵌式技术,遂成为主流。外嵌式和内嵌式技术虽然存在杂讯的问题,但在以玻璃(Glass)为基底的硬屏时代杂讯的问题并不突出,随着柔性屏的出现,外嵌式和内嵌式技术的杂讯处理越发困难,触控技术基本上依靠外挂式技术。而三星Note7外嵌式技术采用芯片(IC)处理方式,提升触控芯片信号强度,以达到触控目的。但是这种方式目前只有三星掌握并控制,芯片的配套开发也很困难。
参见图1,其为常规外嵌式柔性OLED触控显示面板侧面结构示意图,在此作为举例的常规外嵌式柔性OLED触控显示面板中,主要包括由下至上层叠设置的TFT阵列基板1,OLED层2,薄膜封装(TFE)层4,以及触控面板5;OLED层2设置于TFT阵列基板1上,薄膜封装层4设置于OLED层2上,触控面板5设置于薄膜封装层4上,其中OLED层2的结构中包括了阴极(Cathode)3,
因为阴极3是杂讯产生的源头之一,为便于理解杂讯的产生,图1中将OLED层2所包括的阴极3单独表示出来,除阴极3外,OLED层2未绘示的层叠结构一般可以包括基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层等,阴极3可设于电子注入层上。
常规外嵌式柔性OLED触控显示面板的致命弱点是触控面板5的触控信号会受到阴极3影响,造成杂讯过大而不能有效得到触控信号,因此亟需改进。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种OLED触控显示面板,避免杂讯干扰问题。
本发明的另一目的在于提供一种OLED触控显示面板的制作方法,避免杂讯干扰问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED触控显示面板,包括:依次设置的TFT阵列基板,OLED层,封装层,透明电极层,触控面板,以及透明电极方框;所述透明电极方框沿所述触控面板边缘设置于所述触控面板上,所述透明电极层和透明电极方框通过地线连接以形成屏蔽环路。
其中,所述封装层为薄膜封装层。
其中,所述触控面板为自电容式触控面板。
其中,所述触控面板为互电容式触控面板。
其中,所述OLED层包括像素定义层,第一像素电极,OLED发光层,以及第二像素电极;所述第一像素电极,OLED发光层,以及第二像素电极依次设置于像素定义层的开口区内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的