[发明专利]用于砷化镓半导体的结染色溶液及其结染色方法

权利要求书

1.一种用于砷化镓半导体的结染色溶液，其特征在于，包括：

第一溶液，所述第一溶液由重量比值为1.5～4的硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)组成，所述第一溶液用以进行第一次选择性蚀刻；

第二溶液，所述第二溶液由重量比值为0.5～7的柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)组成，所述第二溶液用以进行第二次选择性蚀刻；

所述第一溶液的硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)混合温度为40～60℃；

所述第二溶液的柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)的混合温度为5～20℃。

2.根据权利要求1所述的用于砷化镓半导体的结染色溶液，其特征在于：硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)重量比值为1.5。

3.根据权利要求1所述的用于砷化镓半导体的结染色溶液，其特征在于：柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)的重量比值为1。

4.根据权利要求1所述的用于砷化镓半导体的结染色溶液，其特征在于：所述砷化镓半导体为铝砷化镓(AlGaAs)与砷化镓(GaAs)共同组成的高载子迁移率晶体管(HEMT)。

5.一种用于砷化镓半导体的结染色方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：

染色样品准备步骤：采用截面研磨方法，将待染色的砷化镓半导体样品研磨至定点，制成待染色样品；

第一溶液制备步骤：取重量比值为1.5～4的硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)，将硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)在40～60℃的温度范围下混合，制成第一溶液；

第二溶液制备步骤：取重量比值为0.5～7的柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)，将柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)在5～20℃的温度范围下混合，制成第二溶液；

第一次选择性蚀刻步骤：将待染色样品放入所述第一溶液，利用硫酸(H₂SO₄)对待染色样品进行第一次选择性蚀刻；

第二次选择性蚀刻步骤：将待染色样品放入所述第二溶液，利用柠檬酸(C₆H₈O₇)对待染色样品进行第二次选择性蚀刻；

染色样品观察步骤：使用显微镜观察染色样品的结染色结果。

6.根据权利要求5所述的用于砷化镓半导体的结染色方法，其特征在于：

所述第一溶液制备步骤中，所述第一溶液由重量比值为1.5的硫酸(H₂SO₄)和过氧化氢(H₂O₂)混合制成；

所述第二溶液制备步骤中，所述第二溶液由重量比值为1的柠檬酸(C₆H₈O₇)和过氧化氢(H₂O₂)混合制成。