[发明专利]阵列基板及阵列基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括器件层以及设置于所述器件层上的覆盖层，所述覆盖层包括至少一通孔，所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同；所述覆盖层上形成有像素电极，所述覆盖层的所述电极通过所述通孔连接所述器件层中的源极或漏极。本发明还公开了一种阵列基板的制作方法，通过上述阵列基板结构可避免像素电极残留导致电极短接引起的产品质量问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。

背景技术

参阅图1，COA(Color Filter on Array)基板是一种将彩色滤光片(ColorFilter，CF)2制作于阵列基板1上的结构，该结构可有效地减少由于对盒偏差导致的漏光问题，并且降低信号线与像素电极5间的耦合电容，从而有效地提高像素开口率。因此，目前在液晶显示领域被广泛应用。

本申请的发明人在长期研发中发现，在现有的COA基板的阵列基板1结构中，需要在厚度较大的彩色滤光片2或平坦化层(PFA)上开孔(如图1所示是在CF层2上开孔)，设置通孔(Via)3结构，以使源极或漏极4暴露，再在CF层2或PFA上形成像素电极5，通过所述通孔3将所述像素电极5和源极或漏极4电性连接，CF层2或PFA所形成的常规薄膜通孔3其剖面两侧断面的倾斜角β(以CF层2的上表面为参考水平面)一致(如图2所示)，为对称结构；此时由于CF层2或PFA的高度H较大(钝化层厚度小，对通孔倾斜角β影响较小，图2中未示出)，当倾斜角β过大导致地形起伏不平滑，像素电极5曝光图案化制程中的光刻胶可能在边沿底侧堆积较厚，无法充分曝光，导致其下在刻蚀去胶后容易形成像素电极5残留，残留的像素电极5与其他电极短接，导致像素电极5无法充电，即无法顺利点亮；或者影响电性，造成充电不足及色偏等显示质量问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法，以避免像素电极残留导致电极短接引起的产品质量问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：

提供一种阵列基板，包括：

器件层以及设置于所述器件层上的覆盖层，所述覆盖层包括至少一通孔，所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同；

所述覆盖层上形成有像素电极，所述覆盖层的所述电极通过所述通孔连接所述器件层中的源极或漏极。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：

提供一种阵列基板的制作方法，包括：

形成器件层；

在所述器件层上设置覆盖层，并在所述覆盖上形成至少一个通孔，其中，所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同；

在所述覆盖层上形成像素电极，通过所述通孔连接所述像素电极以及所述器件层中的源极或漏极。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过设置阵列基板，所述阵列基板包括器件层以及设置于所述器件层上的覆盖层，所述覆盖层包括至少一通孔，所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同；所述覆盖层上形成有像素电极，所述覆盖层的所述电极通过所述通孔连接所述器件层中的源极或漏极，通过上述阵列基板结构以避免像素电极残留导致电极短接引起的产品质量问题。

附图说明

图1是现有COA基板的结构示意图；

图2是现有COA基板中通孔剖面的结构示意图；

图3是本发明阵列基板一实施例的结构示意图；

图4是本发明阵列基板另一实施例的结构示意图；

图5是本发明阵列基板实施例中通孔剖面的结构示意图；