[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质

说明书

本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H₂气体或NH₃气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。

技术领域

本发明涉及锗(Ge)的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。

背景技术

最近，半导体集成电路装置要求动作的高速化。动作的高速化主要受到晶体管等半导体设备的细微化、布线的低电阻化、层间绝缘膜的低介电常数化等的影响。但是，基于这些技术的动作的高速化正在接近极限。因此，为了实现动作的进一步高速化，正在关注一种载流子迁移率更高的作为半导体材料的硅锗(以下，也记载为SiGe)、锗(以下，也记载为Ge)，来替代以往使用的作为半导体材料的硅(以下，也记载为Si)。

在将Ge、SiGe应用于半导体设备时，期望一种高选择性地蚀刻这些材料的技术。在专利文献1中记载了一种利用F₂气体或者F₂气体和NH₃气体来相对于Si选择性地蚀刻SiGe的技术。

专利文献1：日本特开2016-143781号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1中记载的只是SiGe的蚀刻，而并非蚀刻Ge的技术。以往，在Ge的干法蚀刻中利用一种卤素气体、高温的热氧化处理，但相对于其它材料的选择性并不充分。

因而，本发明的课题在于提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗(Ge)的技术。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明提供一种蚀刻方法，其特征在于，将包含H₂气体或NH₃气体的蚀刻气体在被激励了的状态下供给到具有锗部分的被处理基板，来对所述锗部分进行蚀刻。

在所述蚀刻方法中，作为所述锗部分，能够使用锗膜。

所述被处理基板具有所述锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分来选择性地蚀刻所述锗部分。作为所述含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。

在所述蚀刻时，优选将压力设为6.7Pa～133Pa的范围。另外，在所述蚀刻时，优选将所述被处理基板的温度设为200℃～400℃的范围。

在所述蚀刻方法中，优选所述蚀刻气体在被进行了等离子体化的状态下进行供给。

另外，本发明提供一种蚀刻装置，对具有锗的被处理基板进行蚀刻，该蚀刻装置的特征在于，具备：处理容器，其收容所述被处理基板；气体供给部，其对所述处理容器内供给规定的气体；激励机构，其对所述规定的气体进行激励；加热机构，其对所述处理容器内进行加热；排气机构，其对所述处理容器内进行排气来将所述处理容器设为减压状态；以及控制部，其对所述气体供给部、所述激励机构、所述加热机构以及所述排气机构进行控制，其中，所述控制部利用所述排气机构将所述处理容器内控制为规定的减压状态，利用所述加热机构将所述处理容器内控制为规定温度，从所述气体供给部供给蚀刻气体，利用所述激励机构对所述蚀刻气体进行激励，利用被激励了的状态下的蚀刻气体在所述处理容器内对所述被处理基板的锗进行蚀刻。

在所述蚀刻装置中，所述激励机构优选是等离子体生成机构。

本发明提供一种存储介质，存储有在计算机上进行动作且用于控制蚀刻装置的程序，其特征在于，所述程序在被执行时，使计算机控制所述蚀刻装置，来进行上述蚀刻方法。