[发明专利]存储器管理方法与存储控制器

说明书

本发明提出一种存储器管理方法与存储控制器。所述存储器管理方法包括：将第一区块的多个字线分成多个字线群组，并为每一字线群组记录一特征值；当读取第一字线群组时，累加第二字线群组及第三字线群组的特征值，其中第二字线群组及第三字线群组直接相邻于第一字线群组；以及当第二字线群组的特征值大于第一门槛值时，以第一最佳读取电压组来读取第二字线群组，其中第一最佳读取电压组与对应第二字线群组的预设读取电压组不同。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理方法与存储控制器，尤其涉及一种能减少读取扰动(read disturb)错误的存储器管理方法与存储控制器。

背景技术

在反及闸快闪存储器(NAND flash)中，存在读取扰动的效应。简单来说，从一个反及闸快闪存储器阵列的电路图可看出，即使只有读取某一个页面，在与此读取页面处于同一条电压线连接的相邻页面都会被干扰。在累积一定数量的读取次数之后，会开始产生无法通过错误修正码来进行修正的错误。

为了解决读取扰动的问题，一般会记录区块的读取计数值(counter)并当区块的读取计数值大于预先决定值时将此区块的数据搬移到其他区块。这会造成过多的区块数据搬移操作。因此，如何更有效率地解决读取扰动的问题，是本领域技术人员应该致力的目标。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法与存储控制器，能够更有效率地解决读取扰动的问题并减少读取扰动错误。

本发明提出一种存储器管理方法，适用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置。存储装置通过存储控制器来控制。可复写式非易失性存储器模块包括多个区块。每一区块包括多个字线。每一字线由多个存储单元构成。上述区块包括第一区块。存储器管理方法包括：通过存储控制器将第一区块的字线分成多个字线群组，并为每一字线群组记录特征值。当存储控制器读取字线群组中的第一字线群组时，存储控制器累加字线群组中的第二字线群组及第三字线群组的特征值，其中第二字线群组及第三字线群组直接相邻于第一字线群组。当第二字线群组的特征值大于第一门槛值时，存储控制器指示以第一最佳读取电压组来读取第二字线群组，其中第一最佳读取电压组与对应第二字线群组的预设读取电压组不同。

本发明提出一种存储控制器，适用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置。可复写式非易失性存储器模块包括多个区块。每一区块包括多个字线。每一字线由多个存储单元构成。上述区块包括第一区块。存储控制器包括：连接接口电路，耦接到主机系统；存储器接口控制电路，耦接到可复写式非易失性存储器模块；以及处理器，耦接到连接接口电路及存储器接口控制电路。其中处理器将第一区块的字线分成多个字线群组，并为每一字线群组记录特征值。当处理器读取字线群组中的第一字线群组时，处理器累加字线群组中的第二字线群组及第三字线群组的特征值，其中第二字线群组及第三字线群组直接相邻于第一字线群组。当第二字线群组的特征值大于第一门槛值时，处理器指示以第一最佳读取电压组来读取第二字线群组，其中第一最佳读取电压组与对应第二字线群组的预设读取电压组不同。

基于上述，本发明的存储器管理方法与存储控制器会将一个区块的字线分成多个字线群组并为每个字线群组记录一个特征值。当其中一个字线群组被读取时，与被读取的字线群组直接相邻的字线群组的特征值会被垒加。当一个字线群组的特征值大于门槛值时，则存储控制器会指示以与预设读取电压组不同的最佳读取电压组来读取特征值大于门槛值的字线群组，以减少读取扰动产生的错误。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为根据本发明的一实施例所示出的主机系统及存储装置的方块示意图。

图2为根据本发明的一实施例所示出的三维的实体区块的多个字线的示意图。

图3为根据本发明一实施例的存储器管理方法的流程图。

附图标记说明

10：主机系统；