[发明专利]存储器管理方法与存储控制器有效
申请号: | 201810263501.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN110322913B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 萧又华;杨顗民 | 申请(专利权)人: | 深圳大心电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C16/08 |
代理公司: | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人: | 寇闯 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 管理 方法 存储 控制器 | ||
1.一种存储器管理方法,其特征在于,适用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,所述存储装置通过存储控制器来控制,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个区块,每一所述区块包括多个字线,每一所述字线由多个存储单元构成,所述多个区块包括第一区块,所述存储器管理方法包括:
通过所述存储控制器将所述第一区块的所述多个字线分成多个字线群组,并为每一所述字线群组记录特征值;
当所述存储控制器读取所述多个字线群组中的第一字线群组时,所述存储控制器累加所述多个字线群组中的第二字线群组及第三字线群组的所述特征值,其中所述第二字线群组及所述第三字线群组直接相邻于所述第一字线群组;以及
当所述第二字线群组的所述特征值大于第一门槛值时,所述存储控制器指示以第一最佳读取电压组来读取所述第二字线群组,其中所述第一最佳读取电压组与对应所述第二字线群组的预设读取电压组不同。
2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中当所述第三字线群组的所述特征值大于第二门槛值时,所述存储控制器指示以第二最佳读取电压组来读取所述第三字线群组,其中所述第二门槛值大于所述第一门槛值。
3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述第一字线群组、所述第二字线群组及所述第三字线群组分别属于所述第一区块的多个堆叠层中的第一层、第二层及第三层,其中所述第二层及所述第三层直接相邻于所述第一层。
4.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其中所述第一字线群组包括第一存储单元,所述第二字线群组包括第二存储单元,所述第三字线群组包括第三存储单元,所述第二存储单元及所述第三存储单元分别对应所述第一层的所述第一存储单元设置于所述第二层及所述第三层的相对位置,所述第一存储单元、所述第二存储单元及所述第三存储单元设置于同一比特线上且所述第二存储单元及所述第三存储单元直接相邻于所述第一存储单元。
5.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中当所述存储控制器抹除所述第一区块时,所述存储控制器将所述第一区块的所述多个字线群组的所述特征值设定为0。
6.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中当所述第二字线群组的所述特征值大于第三门槛值或所述第二字线群组的所述特征值减去所述第一区块的所述多个字线群组的所述特征值的平均值大于第四门槛值时,则所述存储控制器将所述第二字线群组的数据搬移到另一区块。
7.根据权利要求6所述的存储器管理方法,其中所述存储控制器重置所述第二字线群组的所述特征值,并将所述第二字线群组的数据设定为无效。
8.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中当所述第一区块的所述多个字线群组的所述特征值的平均值大于第五门槛值时,则所述存储控制器将所述第一区块的数据搬移到另一区块。
9.一种存储控制器,其特征在于,适用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个区块,每一所述区块包括多个字线,每一所述字线由多个存储单元构成,所述多个区块包括第一区块,所述存储控制器包括:
连接接口电路,耦接到主机系统;
存储器接口控制电路,耦接到所述可复写式非易失性存储器模块;以及
处理器,耦接到所述连接接口电路及所述存储器接口控制电路,其中
所述处理器将所述第一区块的所述多个字线分成多个字线群组,并为每一所述字线群组记录特征值;
当所述处理器读取所述多个字线群组中的第一字线群组时,所述处理器累加所述多个字线群组中的第二字线群组及第三字线群组的所述特征值,其中所述第二字线群组及所述第三字线群组直接相邻于所述第一字线群组;以及
当所述第二字线群组的所述特征值大于第一门槛值时,所述处理器指示以第一最佳读取电压组来读取所述第二字线群组,其中所述第一最佳读取电压组与对应所述第二字线群组的预设读取电压组不同。
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