[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在审
申请号: | 201810262362.6 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN109841582A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 陈灿贤;胡逸群;杨金凤;陈世伟;许惠珍 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子组件 散热器 热传导结构 接合线 衬底 半导体装置 安置 聚合物层 热传导层 密封剂 封装 半导体封装装置 传导层 覆盖 制造 | ||
本发明涉及一种半导体封装装置,其包含衬底、电子组件、接合线、散热器、热传导结构及密封剂。所述电子组件安置于所述衬底上。所述接合线将所述电子组件连接到所述衬底。所述散热器安置于所述电子组件之上。所述热传导结构安置于所述散热器与所述电子组件之间。所述热传导结构包含两个聚合物层及热传导层。所述传导层安置于所述两个聚合物层之间。所述热传导层具有与所述电子组件接触的第一末端及与所述散热器接触的第二末端。所述密封剂覆盖所述接合线。
技术领域
本发明涉及半导体装置封装,且涉及包含相较于横向方向上的热导率在垂直方向上具有更高热导率的热传导结构的半导体装置封装。
背景技术
半导体工业在一些半导体装置封装中的多种电子组件的集成密度方面已取得了发展。此提高的集成密度往往对应于在所述半导体装置封装中的提高的功率密度。在一些实施方案中,随着半导体装置封装的功率密度增长,散热可变为合意的。因此,在一些实施方案中提供具有改进热导率的半导体装置封装可为有效的。
发明内容
在一些实施例中,一种半导体封装装置包含衬底、电子组件、接合线、散热器、热传导结构及密封剂。所述电子组件安置于所述衬底上。所述接合线将所述电子组件连接到所述衬底。所述散热器安置于所述电子组件之上。所述热传导结构安置于所述散热器与所述电子组件之间。所述热传导结构包含两个聚合物层及热传导层。所述传导层安置于所述两个聚合物层之间。所述热传导层具有与所述电子组件接触的第一末端及与所述散热器接触的第二末端。所述密封剂覆盖所述接合线。
在一些实施例中,一种半导体封装装置包含衬底、电子组件、接合线、热传导结构、散热器及密封剂。所述电子组件安置于所述衬底上。所述接合线将所述电子组件连接到所述衬底。所述热传导结构安置于所述电子组件上。所述散热器安置于所述热传导结构上且与所述热传导结构接触。所述密封剂覆盖所述接合线且物理地与所述散热器间隔开。
在一些实施例中,一种制造半导体封装装置的方法包含:提供衬底;将电子组件安置于所述衬底上;形成导电线以将所述电子组件电连接到所述衬底;形成密封剂,其覆盖所述导电线以包围所述电子组件且暴露所述电子组件的一部分;将热传导结构安置在所述电子组件从所述密封剂暴露的所述部分上;以及将散热器安置于所述热传导结构上且使其与所述热传导结构接触。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下具体实施方式最佳地理解本发明的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述清晰起见任意增大或减小。
图1是根据本发明的第一方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。
图2A是根据本发明的一些实施例的处于初始状态的热传导结构的一些实施例的横截面视图。
图2B是根据本发明的一些实施例的处于变形状态的热传导结构的横截面视图。
图3是根据本发明的第二方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。
图4是根据本发明的第三方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。
图5说明根据本发明的一些实施例的在各制造阶段的半导体装置封装的横截面视图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。组件及布置的特定实例描述如下以阐明本发明的特定方面。当然,这些组件及布置仅为实例且不意图为限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成或安置的实施例,且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置,使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外,本发明可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的,且本身并不规定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810262362.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。