[发明专利]采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法

权利要求书

1.一种采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，包括以下步骤：

以厚度为0.2mmt的钙钠玻璃作为原材料，制备厚度≤0.1mmt的超薄钙钠玻璃，且所述超薄钙钠玻璃的厚度均匀性≥90％；

将所述厚度≤0.1mmt的超薄钙钠玻璃分成两类，厚度≥0.08mmt的超薄钙钠玻璃作为第一类超薄钙钠玻璃，厚度≤0.08mmt的超薄钙钠玻璃作为第二类超薄钙钠玻璃，将所述第二类超薄钙钠玻璃通过载台胶粘合在厚度≥0.55mmt的基板上，且使得整体厚度≥0.65mmt，然后进行水平流片处理，完成触摸屏制程后，将所述第二类超薄钙钠玻璃从所述基板上剥离，得到电容式触摸屏。

2.如权利要求1所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，将所述第一类超薄钙钠玻璃直接进行水平流片处理，制备电容式触摸屏；或

将所述第一类超薄钙钠玻璃采用与所述第二类超薄钙钠玻璃相同的方式，制备电容式触摸屏。

3.如权利要求2所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，所述厚度为0.2mmt的钙钠玻璃满足：以所述超薄钙钠玻璃的预设厚度为A mmt计，提供的所述钙钠玻璃的厚度公差为±0.1A mm。

4.如权利要求2所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，所述水平流片处理包括在所述超薄钙钠玻璃制备双面ITO或单面搭桥结构。

5.如权利要求4所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，当在所述超薄钙钠玻璃制备双面ITO时，所述双面ITO的制备方法为：在所述超薄钙钠玻璃上下表面分别制备感应ITO图案和驱动ITO图案；

当在所述超薄钙钠玻璃制备单面搭桥结构时，所述单面搭桥结构的制备方法为：在所述超薄钙钠玻璃的一表面制备ITO涂层，在所述ITO涂层上形成绝缘层，在所述绝缘层上制备金属或ITO桥。

6.如权利要求1-5任一项所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，采用物理抛光和化学刻蚀的方法，对所述厚度为0.2mmt的钙钠玻璃进行减薄处理，制备厚度≤0.1mmt的超薄钙钠玻璃。

7.如权利要求6所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，所述减薄处理的工艺方法为：先进行化学刻蚀，然后进行物理抛光；或先进行物理抛光，然后进行化学抛光，在化学抛光后再进行物理抛光。

8.如权利要求6所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，所述化学刻蚀的方法为：将所述厚度为0.2mmt的钙钠玻璃浸入HF溶液中，控制单面刻蚀速率为5-20μm/min，刻蚀25-100min。

9.如权利要求6所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，所述物理抛光的方法为：提供抛光粉，将所述抛光粉溶解成抛光溶液，对旋转的钙钠玻璃的两个表面依次进行单面磨削，且抛光速率为所述单面刻蚀速率的0.05。

10.如权利要求1-5任一项所述的采用超薄钙钠玻璃作为基底制备电容式触摸屏的方法，其特征在于，通过冷冻或激光处理将所述第二类超薄钙钠玻璃从所述基板上剥离；和/或

所述超薄钙钠玻璃的规格为400mm×500mm。