[发明专利]半导体设备及其检测设备和制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

(a)将半导体设备插入测试插口，其中，所述半导体设备包括配线基板，所述配线基板设置有多个作为外部端子的球电极；以及

(b)使设置在所述插口中的多个第一端子与所述多个球电极分别接触，使设置在所述插口中的第二端子与所述多个球电极中的第一球电极接触，以及检测所述第一端子与所述第一球电极之间的导电状态，

其中，在步骤(b)中，通过使所述第二端子从不同于所述第一端子与所述第一球电极的接触方向的方向与所述第一球电极接触，测量所述第一端子与所述第二端子之间的电阻值，通过测量所述电阻值检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。

2.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，

其中，在步骤(b)中，使所述第二端子从沿着所述配线基板的设有所述球电极的表面的方向与所述第一球电极接触。

3.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，

其中，在步骤(b)中，使所述第二端子在比所述第一端子与所述第一球电极接触的位置更靠近所述配线基板的位置与所述第一球电极接触。

4.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，

其中，所述第二端子为法兰型端子，其具有多个突出部，在平面视图中，所述突出部延伸至设置有所述插口的第一端子的孔部，以及

其中，在步骤(b)中，使所述法兰型端子的突出部与所述第一球电极接触。

5.根据权利要求4所述的半导体设备的制造方法，

其中，在步骤(b)中，使所述法兰型端子的突出部在比所述第一端子与所述第一球电极接触的位置更靠近所述配线基板的位置与所述第一球电极接触。

6.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，

其中，所述配线基板包括安装有半导体芯片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且还包括检测端子，所述检测端子设置在所述第二表面上与所述第一球电极相邻且电连接，在所述检测端子上未安装球电极；以及

其中，在步骤(b)中，通过使设置在所述插口中的第三端子与所述检测端子接触，测量所述第一端子与所述第三端子之间的电阻值，通过测量所述电阻值检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。

7.根据权利要求6所述的半导体设备的制造方法，

其中，在所述半导体设备中，所述检测端子被绝缘膜覆盖，以及

其中，在步骤(b)中，将所述第三端子插入所述绝缘膜中并与所述检测端子接触。

8.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，

其中，在步骤(b)之后，将所述半导体设备插入所述插口中，并通过使所述第一端子至少与所述第一球电极接触以执行所述半导体设备的缺陷/无缺陷的确定测试。

9.一种半导体设备的检测设备，所述检测设备包括：

测试板，其具有插口，该插口容纳半导体设备，所述半导体设备包括设置有多个作为外部端子的球电极的配线基板，所述插口包括与所述多个球电极分别对应布置的多个第一端子以及能够与所述多个球电极中的第一球电极接触的第二端子；以及

测量仪，其与所述测试板电连接，并通过所述第一端子和所述球电极向所述半导体设备发送检测信号；

其中，在所述半导体设备插入所述插口的状态下，通过使所述第一端子与所述多个球电极分别接触并且使所述第二端子从不同于所述第一端子与所述第一球电极的接触方向的方向与所述第一球电极接触，以测量所述第一端子与所述第二端子之间的电阻值，通过测量所述电阻值检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。

10.根据权利要求9所述的半导体设备的检测设备，

其中，所述第二端子为法兰型端子，其具有多个突出部，在平面视图中，所述突出部延伸至设置有所述插口的第一端子的孔部，以及

其中，通过使所述法兰型端子的突出部与所述第一球电极接触来检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。

11.根据权利要求9所述的半导体设备的检测设备，

其中，所述配线基板包括安装有半导体芯片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且还包括检测端子，所述检测端子设置在所述第二表面上与所述第一球电极相邻且电连接，在所述检测端子上未安装球电极；以及

其中，通过使设置在所述插口中的第三端子与所述检测端子接触并通过所述测量仪测量所述第一端子与所述第三端子之间的电阻值，以检测所述第一端子与所述第一球电极之间的连接故障。