[发明专利]一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构

说明书

本发明公开一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其主要包含：一浅沟隔离设于基底内、一第一选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离的一侧、一第二选择栅极设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧以及一栅极结构设于浅沟隔离、第一选择栅极以及第二选择栅极上。

技术领域

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)元件的熔丝结构的方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明一实施例公开一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其主要包含：一浅沟隔离设于基底内、第一选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离一侧、第二选择栅极设于该基底内并设于浅沟隔离另一侧以及一栅极结构设于浅沟隔离、第一选择栅极以及第二选择栅极上。

本发明另一实施例公开一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其主要包含：一浅沟隔离设于基底内，第一选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离一侧，第二选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离另一侧，第一辅助栅极设于基底内并位于浅沟隔离以及第一选择栅极之间，第二辅助栅极设于基底内并位于浅沟隔离以及第二选择栅极之间以及一栅极结构设于浅沟隔离、第一辅助栅极以及第二辅助栅极上。

附图说明

图1至图10为本发明一实施例制作动态随机存取存储器元件的熔丝结构的方法示意图。

主要元件符号说明

12 基底 14 P阱

16 存储单元区 18 周边区

20 熔丝区 26 浅沟隔离

28 图案化光致抗蚀剂 30 离子注入制作工艺

32 掺杂区 34 栅极结构

36 栅极结构 38 辅助栅极

40 选择栅极 42 阻障层

44 导电层 46 硬掩模

48 介电层 50 半导体层

52 氧化硅层 54 氮化硅层

56 氧化硅层 58 导电层

60 位线接触 62 金属层

64 掩模层 66 栅极结构

68 栅极结构 70 栅极结构