[发明专利]一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件

说明书

本发明涉及量子点合成领域，具体涉及一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件，所述制备方法包括以下步骤：S1：将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；S2：将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；再加入NaHCO3并于180‑270℃下反应1h；S3：反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。应用本发明所述量子点/氧化锌核壳结构材料可以增强QLED器件的量子效率和抵御光漂白的能力，从而减少在单个粒子水平上的荧光发射闪烁，这种量子点电致发光器件能够实现：1)高效电荷注入、2)高发光亮度、3)低驱动电压、4)高器件效率等优异器件性能。

技术领域

本发明涉及量子点合成领域，具体涉及一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件。

背景技术

随着量子点合成技术的不断完善与发展，具有高效发光效率的红光、绿光、蓝光量子点被广泛制备。基于量子点材料的量子点电致发光二极管器件(Quantum dot light-emitting diodes，QLED)借助于量子点纳米材料的特性和优化，已经在显示画质、器件性能、制造成本等方面展现出了巨大的潜力。但因寿命短，材料稳定性差等原因，使使用受到限制。

而本发明提出的一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件，是将半导体壳层生长在量子点纳米晶核的表面，改善了量子点纳米晶核结构的光学性质，减少在单个粒子水平上的荧光闪烁，克服现有技术的不足，发明的一种量子点(包括核壳量子点和合金量子点)/氧化锌核壳结构及其半导体器件，解决了QLED技术中的量子点稳定性差、电荷注入效率低、光/电致发光效率低等问题。

发明内容

为了有效解决上述问题，本发明提供一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件。

本发明的具体技术方案如下：一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

S1：在温度为110℃-130℃的环境下，将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；

S2：在温度为100℃-120℃的环境下，将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；

再加入NaHCO₃并于180-270℃下反应1h；

S3：将S2步骤中的产物，反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。

进一步地，步骤S1中所述锌前驱体包括：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌、二乙基锌、醋酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、硫酸锌、油酸锌或硬脂酸锌。

进一步地，步骤S1中所述NaHCO₃包括：(NH₄)₂CO₃，NaH₂PO₄,KOH，NaOH。

进一步地，所述步骤S2中，所述量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点和五元相量子点中的一种；

所述二元相量子点包括但不限于CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS、AgS；

三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS/ZnS、CuInS、PbSeXS1-X/PbS、CdSe/CdS；

四元相量子点包括但不限于CuInSeS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS；

五元相量子点包括但不限于InP/ZnSeS、CuInSe/ZnS。