[发明专利]一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法及其半导体器件

权利要求书

1.一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1：在温度为110℃-130℃的环境下，将锌前驱体溶解在油酸和油胺中，获得油酸锌前驱体混合液；

S2：在温度为100℃-120℃的环境下，将量子点加入S1步骤中的油酸锌前驱体混合液；

再加入NaHCO₃并于180-270℃下反应1h；

S3：将S2步骤中的产物，反复溶解于甲苯和无水乙醇中，进行沉淀离心处理，获得量子点/氧化锌核壳结构。

2.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述锌前驱体包括：Zn的前驱体，所述Zn的前驱体为二甲基锌、二乙基锌、醋酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、硫酸锌、油酸锌或硬脂酸锌。

3.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述NaHCO₃包括：(NH₄)₂CO₃，NaH₂PO₄,KOH，NaOH。

4.根据权利要求1所述一种量子点/氧化锌核壳结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点和五元相量子点中的一种；

所述二元相量子点包括但不限于CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS、AgS；

三元相量子点包括但不限于ZnXCd1-XS/ZnS、CuInS、PbSeXS1-X/PbS、CdSe/CdS；

四元相量子点包括但不限于CuInSeS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS；

五元相量子点包括但不限于InP/ZnSeS、CuInSe/ZnS。

5.一种正置顶发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底上形成反射阳极；

所述反射阳极为铝电极或银电极，所述反射阳极的厚度为30-800nm；

S2：在所述反射阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；

所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；

S3：在所述电子传输层上沉积一透明阴极，制得正置顶发射QLED器件；

所述透明阴极为ITO或薄层金属电极；

所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。

6.根据权利要求5所述一种正置顶发射QLED器件的制备方法，其特征在于，所述反射阳极与空穴传输层之间还可设置空穴注入层；

所述空穴注入层的厚度为10-150nm，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO₃、VO₂或WO₃中的至少一种。

7.一种正置底发射QLED器件的制备方法，所述制备方法采用上述权利要求1-4任意之一所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述制备方法包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底上形成透明阳极；

所述透明阳极为图案化的ITO；

S2：在所述透明阳极上依次沉积空穴传输层、量子点发光层，随后对量子点发光层进行氧化刻蚀，沉积电子传输层；

所述量子点发光层采用所述的量子点/氧化锌核壳结构材料，所述量子点发光层的厚度为10-100nm；

S3：在所述电子传输层上蒸镀一反射阴极，制得正置底发射QLED器件；

所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。