[发明专利]二氧化硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810162624.1 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108493105A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;尤政;魏启鹏;刘通 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/40;C23C16/505;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅薄膜 沉积 基底 等离子体增强化学气相沉积法 制备 反应气体 硅源 氧源 本征应力 反应腔室 高频功率 反应腔 射频 室内 | ||
1.一种二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一基底；
将所述基底置于反应腔室内，向所述反应腔室通入反应气体；以及
通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜的应力为-120MPa～-40MPa；
其中，所述反应腔室的压力为1000mTorr～1500mTorr，所述反应气体包括硅源和氧源，所述硅源的通入流量为1500标准毫升/分钟～2000标准毫升/分钟，所述氧源的通入流量为1200标准毫升/分钟～2000标准毫升/分钟，所述等离子体增强化学气相沉积法中的沉积温度为250℃～350℃，沉积速率为沉积时间为20s～500s，射频的高频功率为200W～450W。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，在向所述反应腔室通入所述反应气体之前，先对所述反应腔室进行清洗，且在所述反应腔室的内壁上沉积一第二二氧化硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二二氧化硅薄膜的沉积过程中，反应气体包括硅源和氧源，所述硅源的通入流量为1500标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，所述氧源的通入流量为1500标准毫升/分钟～2500标准毫升/分钟，射频的功率为400W～500W，反应腔室的压力为1000mTorr～2000mTorr，沉积的时间为20s～500s，沉积的速率为
4.根据权利要求1或3所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应气体还包括有稀释气体，所述稀释气体为氮气，通入流量为200标准毫升/分钟～1500标准毫升/分钟。
5.根据权利要求1或3所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述硅源包括SiH4和惰性气体，所述硅源中SiH4所占的体积百分比为3％～10％。
6.根据权利要求1或3所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧源为N2O。
7.一种二氧化硅薄膜，其特征在于，如权利要求1～6任一项所述制备方法得到，所述二氧化硅薄膜的应力为-120MPa～-40MPa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
