[发明专利]成膜方法以及成膜装置

说明书

本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。

技术领域

本发明涉及成膜方法以及成膜装置。

背景技术

以往已知如下一种成膜方法：使羟基以期望的分布吸附于基板上形成的凹部的内表面，接着向吸附有羟基的基板供给有机胺基硅烷气体并使该有机胺基硅烷气体吸附于该基板，接着向吸附有有机胺基硅烷气体的基板供给氧化气体，在凹部内形成氧化硅膜(例如，参照专利文献1)。

根据上述成膜方法，通过控制羟基的吸附分布，能够以期望的膜厚分布进行成膜，能够根据用途实施自下而上(bottom up)性高的成膜、保持凹部的形状的成膜等。

专利文献1：日本特开2013-135154号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，关于如上述那样的自下而上性高的成膜，由于半导体集成电路的高密度化以及多样化，因此在氧化硅膜以外的成膜、例如氮化膜中也期望这种自下而上性高的成膜。

因此，本发明的目的在于提供一种能够进行可利用简单的处理以及装置实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜的成膜方法以及成膜装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的成膜方法从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：

向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层在所述凹陷图案内的下部区域沉积。

发明的效果

根据本发明，能够进行自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置的概要截面图。

图2是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置的真空容器内的结构的概要立体图。

图3是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置的真空容器内的结构的概要俯视图。

图4是本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置的沿旋转台的同心圆的真空容器的概要截面图。

图5是本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置的其它概要截面图。

图6是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置中设置的等离子体发生源的概要截面图。

图7是表示本发明的第一实施方式所涉及的成膜装置中设置的等离子体发生源的其它概要截面图。