[发明专利]成膜方法以及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，对形成于基板的表面的凹陷图案从底面侧起嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：

向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给被等离子体活化的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层在所述凹陷图案内的下部区域沉积，

其中，所述基板是硅基板，

在形成所述吸附阻碍基团的工序之前还包括在包含所述凹陷图案的所述基板的表面形成基底膜的工序。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

将形成所述吸附阻碍基团的工序、使所述原料气体吸附的工序以及使所述氮化膜的分子层沉积的工序设为一个周期，通过使该一个周期重复规定次数来向所述凹陷图案内嵌入所述氮化膜。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述金属包括钛或铝。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在包含所述凹陷图案的所述基板的表面上预先形成有基底膜。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

所述基底膜是氮化硅膜或氧化硅膜。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

形成所述基底膜的工序包括以下工序：

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含硅气体并使该含硅气体吸附；以及

向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给所述氮化气体，使通过与所述含硅气体发生反应而生成的氮化硅膜的分子层沉积。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，

所述原料气体是含有硅和氯的气体，

关于所述含硅气体，能够使用所述原料气体。

8.根据权利要求6或7所述的成膜方法，其特征在于，

将使所述含硅气体吸附的工序和使所述氮化硅膜的分子层沉积的工序重复进行规定次数，直到所述基底膜成为规定的膜厚为止。

9.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述氮化气体在被等离子体活化后被供给。

10.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

所述基板在旋转台上沿周向配置，

氮化气体供给区域、氯气供给区域、原料气体供给区域以沿旋转方向彼此分离的方式沿所述周向配置在该旋转台上，

所述旋转台沿所述旋转方向旋转，由此依次重复进行形成所述吸附阻碍基团的工序、使所述原料气体吸附的工序以及使所述氮化膜的分子层沉积的工序，从而向所述凹陷图案内嵌入所述氮化膜。

11.根据权利要求10所述的成膜方法，其特征在于，

在所述氯气供给区域与所述原料气体供给区域之间、以及所述原料气体供给区域与所述氮化气体供给区域之间，设置有向所述基板的表面供给吹扫气体的吹扫气体供给区域，

在形成所述吸附阻碍基团的工序与使所述原料气体吸附的工序之间、以及使所述原料气体吸附的工序与使所述氮化膜的分子层沉积的工序之间，设置有吹扫气体供给工序。