[发明专利]驻极电极及其制备方法、驻极装置

权利要求书

1.一种驻极电极，该驻极电极为柔性的导电纳米棒阵列，所述导电纳米棒阵列包括：

柔性高分子薄膜衬底；

纳米棒阵列，形成于柔性高分子薄膜衬底之上，包含若干呈阵列分布的纳米棒；以及

导电层，覆盖于纳米棒阵列之上，两个相邻纳米棒上覆盖的导电层之间存在距离；

其中，所述纳米棒阵列的密度介于10⁴mm^-2～10⁷mm^-2之间。

2.根据权利要求1所述的驻极电极，其中：

所述纳米棒的直径介于90nm～110nm之间；和/或

所述纳米棒的长度介于1μm～20μm之间。

3.根据权利要求1所述的驻极电极，其中，所述柔性高分子薄膜衬底的材料为如下材料中的一种：PTFE、Kapton、FEP、PMMA、PS、以及PET。

4.根据权利要求1所述的驻极电极，其中，所述导电层的厚度介于100nm～200nm之间。

5.根据权利要求1所述的驻极电极，其中，所述纳米棒阵列与柔性高分子薄膜衬底的材料相同，由柔性高分子薄膜经刻蚀后得到一体化的柔性高分子薄膜衬底与纳米棒阵列。

6.一种驻极电极的制备方法，包括：

在柔性高分子薄膜衬底上制作纳米掩膜；

对带有纳米掩膜的柔性高分子薄膜衬底进行刻蚀处理，得到纳米棒阵列；以及

在纳米棒阵列的表面沉积导电材料，得到柔性的导电纳米棒阵列；

其中，所述纳米棒阵列的密度介于10⁴mm^-2～10⁷mm^-2之间。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中：

所述柔性高分子薄膜衬底的材料为如下材料中的一种：PTFE、Kapton、FEP、PMMA、PS、以及PET；和/或

所述柔性高分子薄膜衬底的厚度介于50μm～100μm之间；和/或

所述纳米掩膜的材料为如下材料中的一种或几种：Au、Pt、Ti、以及Al；和/或

所述纳米掩模的厚度介于5nm～10nm之间。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其中，所述刻蚀处理采用电感耦合反应离子刻蚀的方式进行，刻蚀速率介于300nm/min～400nm/min之间。

9.一种驻极装置，该驻极装置的驻极电极为权利要求1至5任一项所述的驻极电极。