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- [发明专利]薄膜电容器-CN202010046201.0有效
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赵家松;柴勇
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上海久壬信息科技有限公司
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2020-01-16
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2022-06-14
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H01G7/00
- 本公开涉及一种薄膜电容器,包括:第一电极;第二电极;以及位于所述第一电极和第二电极之间的电介质。所述电介质包括:第一介电薄膜,所述第一电极布置在所述第一介电薄膜的第一表面上;调节层,位于所述第一介电薄膜的第二表面上;第二介电薄膜,所述第二介电薄膜的第三表面与所述调节层相邻;以及导电层,位于所述第二介电薄膜的第四表面。所述薄膜电容器还包括:与所述导电层电连接的第三电极和第四电极。第一介电薄膜和第二介电薄膜由聚丙烯复合材料制成,所述聚丙烯复合材料包括填料和基体材料,所述基体材料为500‑800份聚丙烯树脂,所述填料包括:100‑200份二氧化钌、80‑120份碳酸钙和40‑60份碳纤维。
- 薄膜电容器
- [实用新型]一种高精度RF MEMS数字可变电容-CN201922266264.2有效
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王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛
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苏州希美微纳系统有限公司
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2019-12-17
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2020-08-07
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H01G7/00
- 本实用新型涉及一种高精度RF MEMS数字可变电容,包括有衬底,衬底上分布有若干组基于翘板式结构的RF MEMS数字可变电容单元,各个RF MEMS数字可变电容单元分组后,围绕RF Pad分布,每组RF MEMS数字可变电容单元的RF电极与RF Pad接连,每组RF MEMS数字可变电容单元的最大容值均不相同,每组RF MEMS数字可变电容单元有两种电容状态,通过5位二进制数字驱动信号进行控制,RF Pad两侧均分布有GND Pad。由此,可变电容单元数量少,且可变电容容值的步阶多,调节范围广,可调性强。在5组单元,每组二个电容状态的条件下,有32个步阶。在5组单元,每组三个电容状态的条件下,有243个步阶。由数字信号控制,可与IC兼容。
- 一种高精度rfmems数字可变电容
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