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[发明专利]具有高电容可调性的金属铁电半导体可调电容的制备方法-CN202310439467.5在审
发明人：张辉;毛飞龙;侯永琪;朱一凡 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及变容器技术领域，特别是涉及一种具有高电容可调性的金属铁电半导体可调电容的制备方法。其包括S1：将待溅射半导体基片进行清洗与吹干后，把基片安置在溅射台上；S2：将真空室内的靶材角度调整到预设角度，同步调节靶材到基板的距离到预设距离；S3：对真空室进行抽真空，到达指定的本底真空；S4：将基片加热指定工作温度，并保持该温度直到基底受热均匀；S5：调整工作环境的气体比例与气压，在基片上溅射铁电薄膜；S6：完成薄膜溅射后，加热基片至退火温度，在氧气环境下退火；S7：等待器件自然冷却后，在铁电薄膜一侧制备上电极。本发明工艺简单，设备简易，成本低，可大批量生产，在可调声学器件、MFS晶体管等领域有很大的应用前景。
具有电容调性金属半导体可调制备方法

[发明专利]电路元件以及复合场效应晶体管-CN202010049595.5有效
发明人：莱恩·M·海雀;提塔许·瑞许特;乔治·A·凯特尔;洪俊顾;达尔门达·帕勒 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种电路元件以及复合场效应晶体管。在一些实施例中，电路元件包含第一端子、第二端子以及层状结构。层状结构可包含连接到第一端子的第一导电层、位于第一导电层上的第一压电层、位于第一压电层上的第二压电层以及连接到第二端子的第二导电层。第一压电层可具有第一压电张量和第一电容率张量，且第二压电层可具有第二压电张量和第二电容率张量，第二压电张量和第二电容率张量中的一个或两个分别地不同于第一压电张量和第一电容率张量。
电路元件以及复合场效应晶体管

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能。
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]用于控制电压可调多层电容器的系统和方法-CN201980084694.2有效
发明人：杰弗里·凯恩;约瑟夫·M·霍克 -专利权人：京瓷AVX元器件公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：提供了一种用于调节电压可调电容器的控制器和系统。所述控制器可以包括至少一个模数转换器，所述至少一个模数转换器被配置为接收至少一个输入信号并且将所述至少一个输入信号转换为至少一个数字信号。所述控制器可以包括处理器，所述处理器被配置为使用逻辑处理所述至少一个数字信号，以产生输出信号。所述控制器可以包括电荷泵，所述电荷泵被配置为使所述输出信号升压，以产生升压的输出信号。所述控制器可以被配置为将所述升压的输出信号提供到所述电压可调电容器，以调整所述电压可调电容器的偏置电压。
用于控制电压可调多层电容器系统方法

[发明专利]可变电容器及半导体工艺设备-CN202011360677.8有效
发明人：陈旭阳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明一个或多个实施例公开了一种可变电容器及半导体工艺设备，用以解决现有的可变电容器难以快速、连续地调节电容值以及半导体工艺设备中的阻抗匹配效果差的问题。包括相互连接的电容体和电容控制模块；电容体包括相对设置的偏置电极片、相对设置的射频电极片和相对设置的绝缘连接片，偏置电极片、射频电极片及绝缘连接片互相连接围成一密闭空间；密闭空间内填充有指定介质；指定介质的介电常数随施加至偏置电极片的电压变化而变化；电容控制模块用于接收目标电容值，向偏置电极片施加与目标电容值对应的电压。该可变电容器能够实现对电容值的快速、连续调节效果，采用该可变电容器的半导体工艺设备的阻抗匹配效果能够得到提升。
可变电容器半导体工艺设备

[发明专利]一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法-CN202210024974.8在审
发明人：朱秋香;田博博;张晓旭;褚君浩;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法，其特点是在衬底上制备底电极层、铁电功能层和顶电极层组成铁电电容阵列，构建的阵列网络与目标视频的像素点一一对应，通过输入像素点对应的脉冲序列，改变铁电功能层的极化状态，探测相应的极化反转电流，根据电流值的大小得到相应的像素值，实现对视频动态信息的提取。本发明与现有技术相比具有传输过程中所需内存更小，并且处理速度快，器件结构简单，能耗低等优势，较好地模拟了某些生物如青蛙的视觉行为，促进类脑神经网络的进一步发展。
一种应用于动态目标提取电容阵列及其制备方法

[发明专利]具有记忆功能的多值电容器-CN202111082768.4在审
发明人：陈子龙;程传同 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有记忆功能的多值电容器，包括第一电极、第二电极、相变层、第一多值调控组件和第二多值调控组件，第一多值调控组件包括第三电极和第一调控导体，第二多值调控组件包括第四电极和第二调控导体，第一调控导体和第二调控导体构建多个点位，点位对特定区域进行相变调控，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的等效介电常数，实现对电容值的记忆以及多个电容值的非易失连续可调。本发明一种具有记忆功能的多值电容器，通过点位对相变层上特定区域进行相变调控，实现不同点位的热致相变或者电致相变，通过控制相变区域面积的大小，获得连续可调的相变层等效介电常数，实现电容器对电容值的记忆以及电容值的非易失连续可调。
具有记忆功能电容器

[发明专利]微电子电极组合件-CN201780023108.4有效
发明人： A.拉德蒂纳克;A.马尼;P.科米辛斯基;L.阿尔夫;M.尼克法拉扎尔 -专利权人：达姆施塔特工业大学
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：采用一种微电子电极组合件，其具有布置在衬底上的第一电极，其中第一电极具有由具有固态晶格的第一电极材料所制成的薄层，其中第一电极材料在与含氧化合物相接触时氧化并且具有钙钛矿或者钙钛矿衍生晶体结构，以及其中电极具有背向衬底的功能表面，分隔层布置在电极的功能表面上，这阻止功能表面的区域中的电极材料的氧化，所述氧化改变电极的性质。电绝缘功能层布置在分隔层上，以及第二电极布置在电绝缘功能层上。
微电子电极组合

[发明专利]压电陶瓷电容器的增容用途-CN201711198051.X有效
发明人：徐天骄;张卫华;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：南通华表新材料科技开发有限公司
申请日： 2017-11-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电陶瓷电容器的增容用途，所述的压电陶瓷电容器用于加载电压U为10‑20000V的电路而且U不高于其极化电压时，该电容器表现出伴随加载电压U的提高而具有逐步增大至3倍左右的电容值，可用作为具有增容效果的电容器。本发明为压电陶瓷的应用开辟了新市场，而且这种电容器的容重比和成本可以较大幅度下降。
压电陶瓷电容器增容用途

[发明专利]用于射频功率应用的可变功率电容器-CN201480081471.8有效
发明人：麦克·阿布莱希特;托马斯·芬克;沃尔特·比格勒 -专利权人：康姆艾德公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：公开了一种功率电容器(7)，其用于RF功率发送系统。所述功率电容器包括至少两个被包括固体顺介电材料的电容器电介质(17)分开的RF电极(18、19)，所述固体顺介电材料的相对介电常数可通过改变在DC偏压电极(10、26、28)处施加于所述电介质(17)上的DC偏压来控制。还公开了复合电容器配置、RF功率系统及控制所述功率电容器的方法。
用于射频功率应用可变电容器

[发明专利]一种透明柔性全氧化物异质外延铁电薄膜及其制备方法-CN201810288647.7有效
发明人：钟向丽;任传来;谭丛兵;李波;郭红霞;宋宏甲;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明柔性全氧化物异质外延铁电薄膜及其制备方法，所述透明柔性全氧化物异质外延铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在云母柔性透明衬底上的钇稳定的氧化锆缓冲层、氧化铟锡透明底电极以及锆钛酸铅铁电薄膜层构成。本发明提供的透明柔性全氧化物异质外延铁电薄膜，透光性好，柔性耐弯折，在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。且制备方法工艺简单、快捷、制程稳定、制造周期短，相比于其他方法可以更直接快速地得到透明柔性铁电薄膜，同时能够保证其优良的电学特性。
一种透明柔性氧化物外延薄膜及其制备方法

[发明专利]非线性电容器和包括其的能量储存装置-CN201880079313.7在审
发明人：帕维尔·拉扎列夫 -专利权人：柯帕瑟特科学有限责任公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本公开提供了非线性电容器，其包括：第一电极，第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的介电层。介电层包含选自以下的至少一种有机化合物：具有至少一个可电极化芳族多环共轭核的共聚物、均聚物、Sharp聚合物、NLSD化合物及其组合。当电压V满足以下不等式0＜V≤V最大时，电容器的电容C与电极之间的电压V之间的关系表征为：单调增加多项式关系(I)，其中电压V最大为不超过击穿电压Vbd并且出于安全原因而选择的最大工作电压，其中当符号i在2至m的范围内，并且m＝2、3、4、5或6时，至少一个系数Ci不等于0。
非线性电容器包括能量储存装置

[发明专利]无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法-CN201810697031.5有效
发明人：袁国亮;谢忠帅;苏留帅 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开了无机柔性钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法。该透明柔性压控变容管由依次连接的云母衬底、全透明层状(Ag/ITO)n底电极、钙钛矿氧化物薄膜和透明ITO顶电极组成。该压控变容管以云母为衬底，使用O2作为溅射气体，利用溅射沉积技术在云母上依次沉积厚度为150nm‑250nm的(Ag/ITO)n底电极、厚度为200nm的钙钛矿氧化物薄膜和厚度为100nm‑300nm的ITO顶电极，制得无机柔性全透明钙钛矿氧化物压变变容管。本发明的压控变容管调谐率优异、透光率高；且柔性耐弯折，弯曲半径为1.4mm时其调谐率接近平整状态时的数值，在柔性、透明电子器件中具有广泛的应用前景。
无机柔性透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法

[发明专利]高压可调多层电容器-CN201880058397.6在审
发明人： C.W.尼斯;A.P.里特;R.C.范奥斯汀 -专利权人：阿维科斯公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：提供了一种可调多层电容器。该电容器包括与第一有源端子电接触的第一有源电极和与第二有源端子电接触的第二有源电极。该电容器包括与第一DC偏置端子电接触的第一DC偏置电极和与第二DC偏置端子电接触的第二DC偏置电极。多个介电层设置在第一和第二有源电极之间以及在第一和第二偏置电极之间。至少一部分介电层包含可调介电材料，在将所施加的DC电压施加在第一和第二DC偏置电极两端时，该可调介电材料表现出可变介电常数。多个介电层中的至少一个的厚度大于约15微米。
高压可调多层电容器

[发明专利]一种钛酸铋基铋层状结构铁电陶瓷靶材的制备方法-CN201710298789.7有效
发明人：程兴旺;马帅 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋基铋层状结构铁电陶瓷靶材的制备方法，属于陶瓷靶材制备领域。该方法制备的陶瓷靶材包括陶瓷块体和铜片两部分，适用于射频磁控溅射和脉冲激光沉积等物理方法制备铁电薄膜。本发明的制备方法包括称料、球磨、预烧、二次球磨、成型、排塑、冷等静压、二次预烧、磨片、烧结、抛光以及粘贴铜片等步骤。本发明制备出的靶材具有较高的整体导热性，能够及时消除热应力，克服了靶材在离子束和激光轰击过程中容易开裂的缺点，提高了靶材的质量。同时，本发明提高了钛酸铋基铋层状结构铁电陶瓷的化学纯度和结构纯度，有利于制备出高质量的铁电薄膜。
一种钛酸铋基铋层状结构陶瓷制备方法

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