[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置

说明书

提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L1₀结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质及磁记录再现装置。

背景技术

为了进一步增大硬盘装置(HDD)的记录容量，进行了磁记录介质的高密度化的开发。然而，难以使构成磁性层的磁性颗粒的粒径的细化、热稳定性的提高、记录特性的提高同时成立。虽然将其称为三难困境问题，但是对于作为用于解决该三难困境问题的被期待用于下一代硬盘装置的热辅助磁记录(TAMR：Thermally-Assisted Magnetic Recording)方式，正在积极地进行研究开发。

热辅助磁记录方式是通过利用由搭载在磁头上的激光产生部所产生的激光对磁记录介质照射近场光，并对磁记录介质的表面进行局部加热，从而使磁记录介质的矫顽力降低以进行写入的记录方式。热辅助磁记录介质由于被近场光加热，因此对其实施了控制加热温度和热量扩散的设计。

作为具体例子，可以举出为了提高热梯度或热耗散性而设置由高热导率材料构成的散热层、为了有效地对磁性层进行加热而在磁性层的下方设置热阻挡层、以及形成用于对来自磁记录介质的反射进行抑制的反射抑制层等。

对于此类热辅助磁记录介质，由于热控制的设计非常重要，因此进行了各种研究开发并进行了报道。

例如，专利文献1中公开了一种磁记录介质，在衬底与磁记录层之间设置了含有CuZr或AgPd的散热层。

另外，专利文献2中公开了作为热辅助磁记录介质的温度控制层，使用一种包括贯穿膜厚而延伸的低热导率材料的区域、以及作为与低热导率材料的区域分离的高热导率材料的区域的连续的矩阵的薄膜。此时，作为高热导率材料举出了Cu、Au、Ag等。另外，作为低热导率材料举出了SiO₂、ZrO₂等。

另外，专利文献3中公开了一种具有在衬底与磁记录层之间配置的散热层、以及在散热层与磁记录层之间配置的MgO-Ti(ON)层的层叠体。

另一方面，专利文献4中公开了一种磁记录介质，在以Mo作为主成分的结晶质底层与磁性层之间形成了具有NaCl型结构的阻挡层。此时，结晶质底层含有1摩尔％～20摩尔％范围的选自Si、C的一种以上的元素、或1体积％～50体积％范围的氧化物。

另外，专利文献5中公开了一种磁记录介质，在含有Au合金的电浆子(plasmon)下层之上包括磁记录层。此时，Au合金包含未与Au实质上混合的一种以上的合金构成要素。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：美国专利第2007-0026263号说明书

专利文献2：日本特开2006-196151号公报

专利文献3：日本特开2016-522957号公报

专利文献4：日本特开2015-26411号公报

专利文献5：日本特开2015-122137号公报

发明内容

[本发明所要解决的问题]

如果在散热层中使用具有较高热导率的材料，对散热层进行加厚，即以提高磁头的激光功率(也即LDI(激光二极管电流：laser diode current))的方针来设计磁记录介质，则热梯度会变陡，信噪比(SNR)会趋于良好。