[发明专利]等离子蚀刻方法

说明书

提供等离子蚀刻方法，抑制带与保持面之间产生气泡，防止带焦糊。该等离子蚀刻方法在对下表面上粘贴有带(T)的晶片(W)进行了磨削加工之后，对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法包含如下的工序：干燥工序，对带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在干燥工序之后，对静电卡盘(4)的电极(44)提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在静电保持工序之后，对减压室(C)进行减压，利用等离子化后的反应气体对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。

技术领域

本发明涉及等离子蚀刻方法。

背景技术

在磨削装置进行了磨削后的晶片的被磨削面上残留有磨削痕，该磨削痕成为晶片的抗弯强度降低的原因。因此，提出了通过等离子蚀刻将磨削痕从晶片的被磨削面去除的装置(例如，参照专利文献1)。等离子蚀刻装置经由开闭门将晶片从外部搬入至减压室(腔室)内，在对减压室内进行了减压的状态下提供蚀刻气体。并且，使等离子化后的蚀刻气体与晶片发生反应而将磨削痕从被磨削面去除，从而抑制磨削完成的晶片的磨削痕所导致的抗弯强度的降低。

专利文献1：日本特开2016-143785号公报

在基于磨削装置的磨削中，向晶片和磨削磨具提供磨削水而将磨削加工带来的热去除。特别是磨削后的晶片是湿润的，因此在将该晶片投入至减压室之前需要预先使其干燥。因此，考虑对晶片和带吹送干燥空气而预先将正面的水去除。但是，虽然通过干燥空气的吹送将晶片和带的正面干燥，但内部的干燥并不充分。因此，有时当进行减压时存在于内部的水分发生气化而在带与静电卡盘之间形成气泡(间隙)。对于静电卡盘而言，在其内部形成有使冷却水流通的冷却水路，该冷却水用于将蚀刻气体与晶片反应的反应热去除。当在形成有该气泡的状态下实施等离子蚀刻时，由于气泡会导致带不与静电卡盘接触，因此带不被冷却而是暴露在反应热所导致的高温下，其结果是，带的粘接剂熔化，当将带从晶片剥离时，粘接剂粘附在器件上。另外，当带进一步暴露在高温下时，担心产生带熔化而开孔的所谓的“带焦糊”现象。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供能够防止带焦糊的等离子蚀刻方法。

根据本发明，提供等离子蚀刻方法，在一边对一个面上粘贴有带的晶片的另一个面提供磨削水一边利用磨削磨具进行了磨削之后，利用等离子蚀刻装置对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，其中，该等离子蚀刻装置包含：静电卡盘，其对配设在内部的电极提供直流电力，利用静电力隔着该带对晶片进行保持；以及减压室，其收纳对晶片进行保持的该静电卡盘，对该减压室进行减压并使所提供的反应气体等离子化，从而对晶片进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法具有如下的工序：干燥工序，对该带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在该干燥工序之后，对该静电卡盘的该电极提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在该静电保持工序之后，对该减压室进行减压，利用等离子化后的反应气体对该静电卡盘所保持的晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。

根据该结构，即使由于磨削加工而在带中吸收了磨削水，也能够通过对带进行积极地加热而将带内的水分去除。由此，即使在蚀刻工序时减压室进行减压，水分也不会从带中流出，能够防止带与静电卡盘的保持面之间产生气泡。由此，能够利用等离子蚀刻防止产生带焦糊。

根据本发明，能够抑制带与静电卡盘的保持面之间产生气泡，能够防止带焦糊。

附图说明

图1的(A)、(B)、(C)是利用以往的方法对晶片进行保持时的局部放大剖视图。

图2是示出本实施方式的干燥工序的一例的示意性剖视图。

图3是示出本实施方式的静电保持工序和蚀刻工序的一例的示意性剖视图。

标号说明

T：带；W：晶片；B：气泡；C：减压室；4：静电卡盘；44：电极。

具体实施方式