[发明专利]一种掩膜板、制作方法及对准的方法

说明书

本发明提供一种掩膜板、制作方法及对准的方法，所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案，所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽，所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线，所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序，其中，利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。采用本发明的掩膜板形成的对准标记线可完全填满，实现设置有背面金属栅格图案的掩膜板与深沟槽对准，可节省BSGND工艺，节省成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种掩膜板、制作方法及对准的方法。

背景技术

深沟槽隔离(Deep trench isolation，DTI)技术在当前的高性能图像处理器已占据主要的地位，而深DTI代表着更优异的性能。背面金属栅格(Backside metal grid，BMG)与深DTI搭配会得到更好的光学性能。

通常为了背面金属栅格与深沟槽进行对准，实现更好的光学性能，需要在硅基底设置对准标记线，也就是说，利用掩膜板对硅基底进行光刻，在硅基底上形成对准标记线和深沟槽，所使用的掩膜板上事先设置好对准标记线图案和深沟槽的图案，其中，通常对准标记线图案的宽度为1.6um，如图1所示，在对对准标记线和深沟槽进行刻蚀后，需要进行填充，通常采用的是利用填充深沟槽的工艺来对标记线和深沟槽进行填充，但是，在对对准标记线进行填充的过程中，由于受工艺本身或工艺需要花费的时间的影响，无法对对准标记线进行完全填充，会产生剥落或破裂的影响；

基于上述存在的问题，对上述工艺进行改进，将掩膜板上的对准标记线图案去掉，仅仅有深沟槽的图案，在硅基底上进行显影和刻蚀，形成深沟槽，接着需要新增加一道工艺BSGND，如图2所示，为了使背面金属栅格和深沟槽进行对准，具体工艺为在硅基底上铺设一层铝，再一次使用掩膜板在铝上形成标记线，以实现背面金属栅格和深沟槽进行对准，解决了现有技术中对准标记线无法填满的缺陷，但是，在此过程需要新增加一道工艺，增加一次掩膜板，产生了较高的成本。

因此，如何提出一种方法，在BMG与深沟槽对准进行曝光的过程中不仅能够将对准标记线填满，同时节省一道工艺，以能够节省成本，成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜板、制作方法及对准的方法，在利用设置有背面金属栅格图案的掩膜板与深沟槽进行对准的工序中，所使用的掩膜板形成的对准标记线能够完全填满，并且相对比现有技术节省一道工序BSGND，节省成本。

针对现有技术中的缺陷，本发明提供以下技术方案：

本发明实施例提供一种掩膜板，包括：所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案，所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽，所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线，所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序，其中，利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。

进一步地，所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构，且所述条状结构的宽度为130-200nm。

进一步地，所述对准标记线图案中的所述条状结构的宽度为130nm。

可选地，所述深沟槽填充工艺包括原子层沉积填充工艺。

本发明还提供一种掩膜板制作方法，包括：在掩膜板上形成对准标记线图案和深沟槽图案；其中，所述掩膜板上设置有对准标记线图案和深沟槽图案，所述深沟槽图案用于在基底上形成深沟槽，所述对准标记线图案用于在基底上形成对准标记线，所述对准标记线用于设置有背面金属栅格图案的掩膜板与基底上的深沟槽的对准工序，其中，利用所述对准标记线图案在基底上形成的对准标记线能够在深沟槽填充工艺中被完全填充。

进一步地，所述对准标记线图案包含多个间隔分布的条状结构，且所述条状结构的宽度为130-200nm。