[发明专利]一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法在审
| 申请号： | 201810100488.3 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110109266A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李冰;李营营 | 申请（专利权）人： | 上海硅通半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅;林高锋 |
| 地址： | 200438 上海市杨浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光调制器 波导区 吸收型 掺入 硅基 载流子迁移率 轻掺杂区 吸收系数 光波导 硅衬底 埋氧层 调制效率 光学损耗 掺杂N型 掺杂P型 | ||
1.一种硅基吸收型电光调制器，包括：
硅衬底；
形成在硅衬底上的埋氧层；
形成在埋氧层上的光波导；
所述光波导具有一个或多个轻掺杂区，所述轻掺杂区包括掺杂N型杂质的N型轻掺杂区和掺杂P型杂区的P型轻掺杂区，其中所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区重叠。
2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述电光调制器进一步包括：形成在光波导两侧的N型重掺杂区和P型重掺杂区。
3.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述N型杂质选择磷、砷、锑中的至少一种，所述P型杂质是硼。
4.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述轻掺杂区的掺杂浓度在1x1016cm-3-5x1016cm-3的范围内。
5.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述轻掺杂区的形状为下列形状中的至少一种：任意封闭的曲线、任意封闭的曲线组合、任意封闭的线段组合、任意封闭的曲线和线段组合。
6.如权利要求5所述的电光调制器，其特征在于，所述轻掺杂区的形状为圆形、椭圆形、跑道形、多边形、凸形、凹形、梳形、I形和/或S形。
7.如权利要求6所述的电光调制器，其特征在于，所述多边形为三角形、四边形、五边形、六边形、八边形和/或十二边形。
8.如权利要求5-7所述的电光调制器，其特征在于，所述多个轻掺杂区呈单行、单列、多行、多列或多行多列排列。
9.如权利要求5-7所述的电光调制器，其特征在于，所述多个轻掺杂区的中点在所述光波导的中线上，或所述多个轻掺杂区以光波导的中线为轴线呈轴对称。
10.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述多个轻掺杂区不超过所述光波导的长和宽。
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