[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

基板保持工序，将基板保持为水平状态；

处理液供给工序，向所述基板的上表面供给含有水的处理液；

置换工序，向所述基板的上表面供给表面张力比水的表面张力低的低表面张力液体，由此利用所述低表面张力液体置换所述处理液；

液膜形成工序，在所述置换工序后，继续向所述基板的上表面供给所述低表面张力液体，由此在所述基板的上表面形成所述低表面张力液体的液膜；

开口形成工序，在所述液膜的中央区域形成开口；

扩大排除工序，使所述开口向所述基板的周缘扩大，由此将所述液膜从所述基板的上表面排除；

液膜接触工序，在所述开口形成工序开始后，使接近构件接近所述基板的周缘，由此使所述接近构件与所述液膜接触，

所述扩大排除工序包括如下工序，即，一边维持所述液膜与所述基板的上表面接触的状态，一边加热所述基板，以便在位于所述开口的周缘处的所述液膜的气液界面处，产生离开所述基板的方向的对流，从而使所述开口向所述基板的周缘扩大。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述液膜接触工序与所述扩大排除工序并行执行。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

在所述液膜接触工序中，以在所述接近构件与所述基板的周缘之间形成间隙的方式，使所述接近构件接近所述基板的周缘。

4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述基板保持工序包括使设置于基座的上表面且用于保持所述基板的周缘的基板保持件保持所述基板的周缘的工序，

在所述液膜接触工序中，使所述接近构件接近所述基板的周缘中的与被所述基板保持件保持的部分不同的部分。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其中，

所述接近构件是设置于所述基座的上表面的接近销，

在所述液膜接触工序中，使所述接近销从所述基板的外侧接近所述基板的周缘。

6.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述接近构件设置于隔断构件，所述隔断构件与所述基板的上表面相向，所述隔断构件将所述隔断构件和所述基板之间的环境气体与周围的环境气体隔断，

在所述液膜接触工序中，使所述隔断构件从上方接近所述基板的周缘。

7.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述液膜形成工序包括如下工序，即，在将所述基板上的所述低表面张力液体的温度保持在所述低表面张力液体的沸点以下的状态下，在所述基板的上表面形成所述液膜。

8.如权利要求7所述的基板处理方法，其中，

所述开口形成工序包括如下工序，即，使所述液膜的中央区域的温度比所述液膜形成工序中的所述液膜的温度高，由此在所述液膜中形成所述开口。