[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1导电体，在第1方向上延伸设置，作为第1字线发挥功能；

第1支柱，通过所述第1导电体而设置，与所述第1导电体的交叉部分作为第1存储单元发挥功能；

第2导电体，在所述第1方向上延伸设置，作为包含于读出放大器且连接在所述第1存储单元的第1晶体管的栅极电极发挥功能；

第2支柱，在所述第1方向上的所述第2导电体的一端部分设置在所述第2导电体上；

第3支柱，在所述第1方向上的所述第2导电体的另一端部分设置在所述第2导电体上；以及

第4支柱，配置在所述第2支柱与所述第3支柱之间，设置在所述第2导电体上。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

由第1驱动器产生的控制信号经由所述第2支柱、所述第3支柱、及所述第4支柱中的至少一个被供给至所述第2导电体。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第2晶体管，栅极被输入由控制器产生的第1信号，将由所述第1驱动器产生的所述控制信号经由所述第2支柱供给至所述第2导电体；以及

第3晶体管，栅极被输入由所述控制器产生的第2信号，将所述控制信号经由所述第4支柱供给至所述第2导电体；且

对所述第1字线，通过第2驱动器从所述第1方向的一侧施加电压；

在所述第1存储单元的读出动作中，

所述第2驱动器对所述第1字线施加突跳电压，在对所述第1字线施加所述突跳电压后，使所述第1字线的电压从所述突跳电压下降至所需的读出电压，

所述第1驱动器在对所述第1字线施加着所述突跳电压的期间，产生第1电压的所述控制信号，在对所述第1字线施加所述突跳电压后，使所述控制信号的电压从所述第1电压下降至第2电压，

所述控制器在所述控制信号的电压从所述第1电压下降至所述第2电压的期间，使所述第1信号为第1逻辑电平且使所述第2信号为与所述第1逻辑电平不同的第2逻辑电平，在所述读出放大器对所述第1存储单元的存储数据进行判定时，使所述第1信号及所述第2信号为所述第1逻辑电平。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第4晶体管，栅极被输入由所述控制器产生的第3信号，将所述控制信号经由所述第3支柱供给至所述第2导电体，

在所述第1存储单元的所述读出动作中，

所述控制器在所述控制信号的电压从所述第1电压下降至所述第2电压的期间，使所述第3信号为所述第2逻辑电平，在所述读出放大器对所述第1存储单元的存储数据进行判定时，使所述第3信号为所述第1逻辑电平。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第2存储单元，包含于与所述第1存储单元不同的功能块，连接在所述第1晶体管；以及

第3导电体，在所述第1方向上延伸设置，作为连接在所述第2存储单元的第2字线发挥功能；

对所述第2字线，通过第3驱动器从所述第1方向的另一侧施加电压；

在所述第2存储单元的读出动作中，

所述第3驱动器对所述第2字线施加所述突跳电压，在对所述第2字线施加所述突跳电压后，使所述第2字线的电压从所述突跳电压下降至所述所需的读出电压，所述第1驱动器在对所述第2字线施加着所述突跳电压的期间，产生所述第1电压的所述控制信号，在对所述第2字线施加所述突跳电压后，使所述控制信号的电压从所述第1电压下降至所述第2电压，

所述控制器在所述控制信号的电压从所述第1电压下降至所述第2电压的期间，使所述第3信号为所述第1逻辑电平且使所述第1信号及所述第2信号为所述第2逻辑电平，在所述读出放大器对所述第2存储单元的存储数据进行判定时，使所述第1信号、所述第2信号、及所述第3信号为所述第1逻辑电平。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述读出动作中，

所述控制器在所述控制信号的电压为所述第1电压的期间，将所述第1信号及所述第2信号维持为所述第1逻辑电平。