[发明专利]金属碎屑检测装置及金属掩膜版搬送装置有效
申请号: | 201810083169.6 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108335989B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 王磊;刘文祺;孙中元 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/677;H01L51/50;C23C14/24 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 碎屑 检测 装置 掩膜版搬送 | ||
本发明涉及一种金属碎屑检测装置及金属掩膜版搬送装置。其中,所述金属碎屑检测装置包括:用以检测金属碎屑的电路板,其中电路板包括基板以及设置在基板上的若干金属引线;所述检测装置还包括用于连接所述金属引线的信号控制器以及与信号控制器电性连接的连接插头,所述连接插头用于输出信号控制器的反馈信号。根据本发明提供的实施例,通过在基板上设置金属引线,并结合信号控制器、连接插头以构成金属碎屑检测装置。该金属碎屑检测装置利用金属碎屑的导电性,对金属碎屑进行检测,检测工序简单易行。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术,尤其涉及金属碎屑检测装置及金属掩膜版搬送装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED,Organic Light-Emitting Diode)具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制作工艺简单、分辨率佳及高亮度等多项优点,已逐渐成为显示领域的主流。在OLED器件制造过程中,真空蒸镀工艺是一项非常重要和关键的技术。该真空蒸镀工艺通常利用金属掩膜版作为模具,对OLED器件中的基板进行图形化。通常,在真空蒸镀之前需要将金属掩膜版搬送至真空蒸镀腔中,在真空蒸镀之后需要将金属掩膜版搬送至金属掩膜版的存储腔中。然而,在真空蒸镀之后,金属蒸镀掩膜版上通常会沉积Mg、Ag、Al等蒸镀金属膜,而该金属膜的厚度无法测量,当金属膜的厚度达到一定的程度时,就会发生金属膜脱落,导致产生大量金属颗粒污染物。
发明内容
本发明提供金属碎屑检测装置及金属掩膜版搬送装置,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种金属碎屑检测装置,包括:用以检测金属碎屑的电路板,其中电路板包括基板以及设置在基板上的若干金属引线;所述检测装置还包括用于连接所述金属引线的信号控制器以及与信号控制器电性连接的连接插头,所述连接插头用于输出信号控制器的反馈信号。
在一个实施例中,所述电路板为柔性电路板,所述基板为柔性基板。
在一个实施例中,所述金属引线包括第一组引线和第二组引线,信号控制器包括第一信号控制器和第二信号控制器。
在一个实施例中,所述第一组引线输入正向电压,第二组引线输入反向电压;或第一组引线输入反向电压,第二组引线输入正向电压。
在一个实施例中,所述金属引线包括第三组组引线,信号控制器包括第三信号控制器;或
所述第三组引线输入交变电压。
在一个实施例中,所述引线中相邻的引线输入不同方向的电压。
在一个实施例中,所述若干金属引线之间的间距的范围2um-10um;或,
每根引线的宽度范围2-3um。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种金属掩膜版搬送装置,用于搬送具有金属掩膜版框和金属掩膜版图形区域的金属掩膜版,包括掩膜版托架、设置于掩膜版托架的凹槽,掩膜版托架用于支撑所述金属掩膜版框;
所述金属掩膜版搬送装置还包括上述金属碎屑检测装置,所述金属碎屑检测装置设置于所述凹槽内。
在一个实施例中,所述电路板设置在凹槽的底部;所述信号控制器设置在所述凹槽的端部。
在一个实施例中,所述金属掩膜版图形区域与设置在凹槽内的金属碎屑检测装置之间具有空隙。
在一个实施例中,所述金属掩膜版搬送装置还包括机械手臂以及升降底座,所述机械手臂分别与掩膜版托架和升降底座连接。
根据上述实施例可知,通过在基板上设置金属引线,并结合信号控制器、连接插头以构成金属碎屑检测装置。该金属碎屑检测装置利用金属碎屑的导电性,对金属碎屑进行检测,检测工序简单易行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造