[发明专利]一种柔性太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810072001.5 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108269864B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 何胜;李俊承;姜伟;吴真龙;张双翔 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 225101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底上设置有反向层叠设置的外延结构;
提供柔性衬底和支撑衬底;
分别在所述柔性衬底和支撑衬底的一侧表面旋涂粘接剂;
将所述柔性衬底旋涂粘接剂的表面与所述支撑衬底旋涂粘接剂的表面贴合;
对贴合完成后的支撑衬底和柔性衬底进行压合处理;
在所述柔性衬底背离所述支撑衬底一侧形成第一键合金属层;
在所述外延结构背离所述半导体衬底一侧形成第二键合金属层;
利用所述第一键合金属层和第二键合金属层,键合所述柔性衬底与所述外延结构;
去除所述半导体衬底,并完成后续制程。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述分别在所述柔性衬底和支撑衬底的一侧表面旋涂粘接剂包括:
提供硅氧烷胶水;
对所述硅氧烷胶水进行搅拌和真空脱泡处理;
利用搅拌和真空脱泡处理后的硅氧烷胶水分别在所述柔性衬底和支撑衬底的一侧表面旋涂,以在所述柔性衬底和支撑衬底一侧表面形成硅氧烷胶水层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述利用搅拌和真空脱泡处理后的硅氧烷胶水分别在所述柔性衬底和支撑衬底的一侧表面旋涂的旋涂的具体参数包括:
旋涂转速大于或等于2000转每分钟,旋涂时间大于或等于10秒。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述柔性衬底旋涂粘接剂的表面与所述支撑衬底旋涂粘接剂的表面贴合包括:
将所述支撑衬底设置于一固定平面;
将所述柔性衬底与所述支撑衬底对齐,并沿所述支撑衬底的一边逐渐贴合。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述沿所述支撑衬底的一边逐渐贴合的速率小于或等于2cm/s。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述半导体衬底为砷化镓衬底。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述反向层叠设置的外延结构的形成过程包括:
在所述砷化镓衬底上依次形成N型砷化镓缓冲层、镓铟磷腐蚀截止层、N型砷化镓欧姆接触层、镓铟磷顶电池、第一隧穿结、砷化镓中电池、第二隧穿结、铟镓砷底电池和P型铟镓砷接触层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述去除所述半导体衬底,并完成后续制程包括:
使用第一腐蚀液腐蚀所述砷化镓衬底,暴露出所述镓铟磷腐蚀截止层;
使用第二腐蚀液去除所述镓铟磷腐蚀截止层;
在所述N型砷化镓欧姆接触层上形成栅线和主电极;
在剩余的外延结构上形成切割道和背电极;
使用第三腐蚀液刻蚀N型砷化镓欧姆接触层,将所述栅线和主电极覆盖的N型砷化镓欧姆接触层以外的部分去除;
在剩余的外延结构上形成减反射膜,并将主电极和背电极表面的减反射膜去除;
去除所述支撑衬底,并完成划片工艺。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对贴合完成后的支撑衬底和柔性衬底进行压合处理包括:
使用键合机对贴合完成后的支撑衬底和柔性衬底在真空环境下压合;
对压合后的支撑衬底和柔性衬底在400℃±100℃的环境下进行固化处理预设时间,所述预设时间的取值范围为24h±12h,包括端点值。
10.一种柔性太阳能电池,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的柔性太阳能电池的制备方法制备获得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司,未经扬州乾照光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810072001.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的